一种二维非层状β相硫化铟连续薄膜的制备方法和光探测器

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专利类型
发明
申请号
CN202010311816.1
申请日
2020-04-20
公开(公告)号
CN111509086A
公开(公告)日
2020-08-07
发明(设计)人
余代者 魏爱香
申请人
申请人地址
510060 广东省广州市越秀区东风东路729号大院
IPC主分类号
H01L3118
IPC分类号
H01L31112 H01L31032 C23C1424 C23C1406
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
许庆胜
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[1]
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[8]
二维硫化铼光电探测器及制备方法 [P]. 
吴章婷 ;
曾培宇 ;
张阳 ;
郑鹏 ;
郑梁 .
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[9]
一种二维材料光探测器及其制作方法 [P]. 
李绍娟 ;
孙甜 ;
马玮良 ;
拓明芬 ;
袁建 .
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[10]
一种二氧化钒和二维半导体的结型光探测器 [P]. 
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蒋伟 ;
孟祥建 ;
沈宏 ;
林铁 ;
褚君浩 .
中国专利 :CN211670197U ,2020-10-13