一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710569811.7

申请日：

2017-07-13

公开(公告)号：

CN107403847B

公开(公告)日：

2017-11-28

发明(设计)人：

曾祥斌吴少雄王文照曾洋丁佳胡一说周广通徐素娥

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

H01L310224

IPC分类号：

H01L3109 H01L3118 H01L2102

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

廖盈春;李智

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-07	授权	授权
2017-11-28	公开	公开
2017-12-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0224 申请日:20170713
2020-07-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/0224 申请日:20170713 授权公告日:20181207 终止日期:20190713

共 50 条

[1]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

高庆国 ;

陈思敏 ;

陈滤成 ;

许哲铨 ;

张崇富 ;

潘新建 ;

于淼 ;

陈又鲜 .

中国专利 :CN115058700A ,2022-09-16

[2]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

刘新科 ;

何佳铸 ;

吕有明 ;

韩舜 ;

曹培江 ;

柳文军 ;

曾玉祥 ;

贾芳 ;

朱德亮 .

中国专利 :CN104947070A ,2015-09-30

[3]

一种二维二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

杨培志 ;

马春阳 ;

杨雯 ;

莫镜辉 ;

李赛 ;

杨德威 .

中国专利 :CN110344000A ,2019-10-18

[4]

一种薄膜制备方法及相应的二硫化钼薄膜和光电探测器 [P].

吴真平 ;

焦雷 ;

王月晖 ;

陈政委 ;

张晓 ;

唐为华 .

中国专利 :CN108660416A ,2018-10-16

[5]

一种二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

赵士超 ;

翁嘉鑫 ;

吕燕飞 ;

金圣忠 .

中国专利 :CN108588673A ,2018-09-28

[6]

一种层状的二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

王振中 .

中国专利 :CN104746137B ,2015-07-01

[7]

基于黑磷/二硫化钼异质结的光探测器 [P].

陆荣国 ;

叶胜威 ;

田朝辉 ;

寿晓峰 ;

陈德军 ;

张尚剑 ;

刘永 .

中国专利 :CN105679876A ,2016-06-15

[8]

一种二维非层状β相硫化铟连续薄膜的制备方法和光探测器 [P].

余代者 ;

魏爱香 .

中国专利 :CN111509086A ,2020-08-07

[9]

一种二硫化钼光电探测器及其制备方法 [P].

李浩文 ;

夏国强 .

中国专利 :CN113517357A ,2021-10-19

[10]

一种基于反应吸附外延制备二维二硫化钼薄膜的方法 [P].

张跃 ;

尚金森 ;

张铮 ;

张先坤 ;

胥如峰 ;

于慧慧 ;

陈匡磊 ;

赵航 ;

康卓 .

中国专利 :CN120249930A ,2025-07-04

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