一种基于反应吸附外延制备二维二硫化钼薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510417549.9

申请日：

2025-04-03

公开(公告)号：

CN120249930A

公开(公告)日：

2025-07-04

发明(设计)人：

张跃尚金森张铮张先坤胥如峰于慧慧陈匡磊赵航康卓

申请人：

北京科技大学

申请人地址：

100083 北京市海淀区学院路30号

IPC主分类号：

C23C16/30

IPC分类号：

C23C16/455 C23C16/52

代理机构：

北京盛询知识产权代理有限公司 11901

代理人：

汪治

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

辽宁省葫芦岛市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/30申请日:20250403
2025-07-04	公开	公开

共 50 条

[1]

一种二维二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

杨培志 ;

马春阳 ;

杨雯 ;

莫镜辉 ;

李赛 ;

杨德威 .

中国专利 :CN110344000A ,2019-10-18

[2]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

高庆国 ;

陈思敏 ;

陈滤成 ;

许哲铨 ;

张崇富 ;

潘新建 ;

于淼 ;

陈又鲜 .

中国专利 :CN115058700A ,2022-09-16

[3]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

刘新科 ;

何佳铸 ;

吕有明 ;

韩舜 ;

曹培江 ;

柳文军 ;

曾玉祥 ;

贾芳 ;

朱德亮 .

中国专利 :CN104947070A ,2015-09-30

[4]

一种层状的二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

王振中 .

中国专利 :CN104746137B ,2015-07-01

[5]

单层二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

吴华强 ;

袁硕果 ;

李寒 ;

钱鹤 .

中国专利 :CN103757602A ,2014-04-30

[6]

一种制备二硫化钼薄膜的方法 [P].

陈远富 ;

戚飞 ;

刘兴钊 ;

李萍剑 ;

郑斌杰 ;

张万里 .

中国专利 :CN104498878B ,2015-04-08

[7]

一种二硫化钼平面同质结的制备方法 [P].

王泽高 ;

罗夕艾 ;

彭正瀚 .

中国专利 :CN113045213B ,2021-06-29

[8]

一种二硫化钼薄膜及其制备方法 [P].

刘新科 ;

何佳铸 ;

李奎龙 ;

陈乐 ;

何祝兵 ;

俞文杰 ;

吕有明 ;

韩舜 ;

曹培江 ;

柳文军 ;

曾玉祥 ;

贾芳 ;

朱德亮 ;

洪家伟 .

中国专利 :CN105970296A ,2016-09-28

[9]

一种二维二硫化钼材料的制备方法和应用 [P].

张跃 ;

姜鹤 ;

张铮 ;

张先坤 ;

陈匡磊 ;

何晓宇 ;

刘一禾 ;

李瑞山 ;

耿宇 ;

陈超 .

中国专利 :CN118390158B ,2025-03-04

[10]

一种二维二硫化钼材料的制备方法和应用 [P].

张跃 ;

姜鹤 ;

张铮 ;

张先坤 ;

陈匡磊 ;

何晓宇 ;

刘一禾 ;

李瑞山 ;

耿宇 ;

陈超 .

中国专利 :CN118390158A ,2024-07-26

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