单层二硫化钼薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410027158.8

申请日：

2014-01-13

公开(公告)号：

CN103757602A

公开(公告)日：

2014-04-30

发明(设计)人：

吴华强袁硕果李寒钱鹤

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区100084-82信箱

IPC主分类号：

C23C1630

IPC分类号：

C23C1652 C23C16455

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

张大威

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-30	公开	公开
2014-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582559385 IPC(主分类):C23C 16/30 专利申请号:2014100271588 申请日:20140113

共 50 条

[1]

一种单层二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

蒲红斌 ;

杨勇 ;

杜利祥 ;

张珊 ;

邸君杰 .

中国专利 :CN107299333B ,2017-10-27

[2]

一种单层二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

陆骐峰 ;

王汉林 ;

刘程佳 ;

刘一鸣 ;

赵胤超 ;

陈伟 .

中国专利 :CN121006608A ,2025-11-25

[3]

一种单层二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

王欣然 ;

王子玄 ;

李涛涛 .

中国专利 :CN112501555A ,2021-03-16

[4]

一种单层二硫化钼的制备方法 [P].

何大伟 ;

董艳芳 ;

何家琪 ;

赵思淇 ;

王永生 .

中国专利 :CN106835073A ,2017-06-13

[5]

重复利用三氧化钼制备单层二硫化钼薄膜的方法 [P].

陈波 .

中国专利 :CN107385508A ,2017-11-24

[6]

基于衬底硫化预处理的单层二硫化钼的制备方法 [P].

丛春晓 ;

杨鹏 ;

仇志军 ;

刘冉 .

中国专利 :CN110451564B ,2019-11-15

[7]

一种制备晶圆级单层二硫化钼薄膜的方法 [P].

王志永 ;

王东升 ;

周中浩 ;

郑孔嘉 .

中国专利 :CN113122818A ,2021-07-16

[8]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

高庆国 ;

陈思敏 ;

陈滤成 ;

许哲铨 ;

张崇富 ;

潘新建 ;

于淼 ;

陈又鲜 .

中国专利 :CN115058700A ,2022-09-16

[9]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

刘新科 ;

何佳铸 ;

吕有明 ;

韩舜 ;

曹培江 ;

柳文军 ;

曾玉祥 ;

贾芳 ;

朱德亮 .

中国专利 :CN104947070A ,2015-09-30

[10]

一种制备单层二硫化钼纳米片的方法 [P].

王牧 ;

李庆玄 ;

朱声涛 ;

张磊 ;

彭茹雯 .

中国专利 :CN115557536A ,2023-01-03

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