一种单层二硫化钼薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011299451.1

申请日：

2020-11-19

公开(公告)号：

CN112501555A

公开(公告)日：

2021-03-16

发明(设计)人：

王欣然王子玄李涛涛

申请人：

申请人地址：

210008 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号

IPC主分类号：

C23C1406

IPC分类号：

C23C1424 B82Y4000 B82Y3000

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人：

吴飞

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-16	公开	公开
2021-04-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/06 申请日:20201119

共 50 条

[1]

一种单层二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

陆骐峰 ;

王汉林 ;

刘程佳 ;

刘一鸣 ;

赵胤超 ;

陈伟 .

中国专利 :CN121006608A ,2025-11-25

[2]

单层二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

吴华强 ;

袁硕果 ;

李寒 ;

钱鹤 .

中国专利 :CN103757602A ,2014-04-30

[3]

一种单层二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

蒲红斌 ;

杨勇 ;

杜利祥 ;

张珊 ;

邸君杰 .

中国专利 :CN107299333B ,2017-10-27

[4]

一种单层二硫化钼的制备方法 [P].

何大伟 ;

董艳芳 ;

何家琪 ;

赵思淇 ;

王永生 .

中国专利 :CN106835073A ,2017-06-13

[5]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

高庆国 ;

陈思敏 ;

陈滤成 ;

许哲铨 ;

张崇富 ;

潘新建 ;

于淼 ;

陈又鲜 .

中国专利 :CN115058700A ,2022-09-16

[6]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

刘新科 ;

何佳铸 ;

吕有明 ;

韩舜 ;

曹培江 ;

柳文军 ;

曾玉祥 ;

贾芳 ;

朱德亮 .

中国专利 :CN104947070A ,2015-09-30

[7]

一种单层二硫化钼薄膜大尺寸生长制备方法 [P].

李梓维 ;

刘笑 .

中国专利 :CN117568777B ,2025-11-25

[8]

一种单层二硫化钼薄膜大尺寸生长制备方法 [P].

李梓维 ;

刘笑 .

中国专利 :CN117568777A ,2024-02-20

[9]

一种制备晶圆级单层二硫化钼薄膜的方法 [P].

王志永 ;

王东升 ;

周中浩 ;

郑孔嘉 .

中国专利 :CN113122818A ,2021-07-16

[10]

一种制备单层二硫化钼纳米片的方法 [P].

王牧 ;

李庆玄 ;

朱声涛 ;

张磊 ;

彭茹雯 .

中国专利 :CN115557536A ,2023-01-03

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