一种单层二硫化钼薄膜大尺寸生长制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311436243.5

申请日：

2023-10-31

公开(公告)号：

CN117568777A

公开(公告)日：

2024-02-20

发明(设计)人：

李梓维刘笑

申请人：

湖南大学

申请人地址：

410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路1号

IPC主分类号：

C23C16/30

IPC分类号：

C23C16/52 C23C16/455

代理机构：

长沙市和协专利代理事务所(普通合伙) 43115

代理人：

熊晓妹

法律状态：

授权

国省代码：

湖南省长沙市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-25	授权	授权
2024-02-20	公开	公开
2024-03-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/30申请日:20231031

共 50 条

[1]

一种单层二硫化钼薄膜大尺寸生长制备方法 [P].

李梓维 ;

刘笑 .

中国专利 :CN117568777B ,2025-11-25

[2]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

高庆国 ;

陈思敏 ;

陈滤成 ;

许哲铨 ;

张崇富 ;

潘新建 ;

于淼 ;

陈又鲜 .

中国专利 :CN115058700A ,2022-09-16

[3]

一种大尺寸单晶二硫化钼的制备方法 [P].

何军 ;

史建平 ;

李辉 ;

杨俊波 ;

李晓辉 .

中国专利 :CN115354392A ,2022-11-18

[4]

一种制备晶圆级单层二硫化钼薄膜的方法 [P].

王志永 ;

王东升 ;

周中浩 ;

郑孔嘉 .

中国专利 :CN113122818A ,2021-07-16

[5]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

刘新科 ;

何佳铸 ;

吕有明 ;

韩舜 ;

曹培江 ;

柳文军 ;

曾玉祥 ;

贾芳 ;

朱德亮 .

中国专利 :CN104947070A ,2015-09-30

[6]

单层二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

吴华强 ;

袁硕果 ;

李寒 ;

钱鹤 .

中国专利 :CN103757602A ,2014-04-30

[7]

一种单层二硫化钼的制备方法 [P].

何大伟 ;

董艳芳 ;

何家琪 ;

赵思淇 ;

王永生 .

中国专利 :CN106835073A ,2017-06-13

[8]

一种单层二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

蒲红斌 ;

杨勇 ;

杜利祥 ;

张珊 ;

邸君杰 .

中国专利 :CN107299333B ,2017-10-27

[9]

一种单层二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

陆骐峰 ;

王汉林 ;

刘程佳 ;

刘一鸣 ;

赵胤超 ;

陈伟 .

中国专利 :CN121006608A ,2025-11-25

[10]

一种单层二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

王欣然 ;

王子玄 ;

李涛涛 .

中国专利 :CN112501555A ,2021-03-16

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