MEMS器件的牺牲层、MEMS器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210564415.2

申请日：

2012-12-21

公开(公告)号：

CN103011052A

公开(公告)日：

2013-04-03

发明(设计)人：

黎坡

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

B81B700

IPC分类号：

B81C100

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583993221 IPC(主分类):B81B 7/00 专利申请号:2012105644152 申请日:20121221
2017-12-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):B81B 7/00 申请公布日:20130403
2014-04-30	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101700522486 IPC(主分类):B81B 7/00 专利申请号:2012105644152 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140408
2013-04-03	公开	公开

共 50 条

[1]

MEMS器件的制作方法及MEMS器件 [P].

阮炯明 ;

张冬平 ;

万宇 ;

郑超 ;

莫福成 .

中国专利 :CN105752928A ,2016-07-13

[2]

MEMS器件的制作方法以及MEMS器件 [P].

万星星 ;

王晋 ;

郝伟倩 ;

俞开园 ;

高晋文 ;

郭佳惠 .

中国专利 :CN118515235A ,2024-08-20

[3]

MEMS器件及其制作方法 [P].

刘煊杰 ;

谢红梅 ;

郭亮良 .

中国专利 :CN104249991A ,2014-12-31

[4]

MEMS器件及其制作方法 [P].

陈晓军 ;

吴秉寰 ;

黄河 .

中国专利 :CN102616727A ,2012-08-01

[5]

MEMS器件、MEMS器件的系统、制作MEMS器件的方法 [P].

A.德赫 .

中国专利 :CN103922269B ,2014-07-16

[6]

MEMS器件的制作方法 [P].

张振兴 .

中国专利 :CN105129726A ,2015-12-09

[7]

MEMS器件的制作方法 [P].

张振兴 .

中国专利 :CN104973565A ,2015-10-14

[8]

MEMS器件的制作方法 [P].

张先明 ;

丁敬秀 ;

陈福成 .

中国专利 :CN105712286B ,2016-06-29

[9]

MEMS器件的制作方法 [P].

毛剑宏 ;

唐德明 .

中国专利 :CN102530831A ,2012-07-04

[10]

MEMS器件的制作方法 [P].

张振兴 ;

奚裴 ;

熊磊 .

中国专利 :CN104909334A ,2015-09-16

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