MEMS器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110034096.X

申请日：

2011-01-31

公开(公告)号：

CN102616727A

公开(公告)日：

2012-08-01

发明(设计)人：

陈晓军吴秉寰黄河

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

B81B300

IPC分类号：

B81C100

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-29	授权	授权
2018-06-19	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):B81B 3/00 登记生效日:20180531 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更后权利人:中芯集成电路（宁波）有限公司
2012-08-01	公开	公开
2012-09-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101329753131 IPC(主分类):B81B 3/00 专利申请号:201110034096X 申请日:20110131

共 50 条

[1]

MEMS器件及其制作方法 [P].

刘煊杰 ;

谢红梅 ;

郭亮良 .

中国专利 :CN104249991A ,2014-12-31

[2]

MEMS器件的制作方法 [P].

张先明 ;

丁敬秀 ;

陈福成 .

中国专利 :CN105712286B ,2016-06-29

[3]

MEMS器件的制作方法 [P].

毛剑宏 ;

唐德明 .

中国专利 :CN102530831A ,2012-07-04

[4]

半导体器件及其制作方法 [P].

刘煊杰 ;

陈晓军 .

中国专利 :CN103000571B ,2013-03-27

[5]

半导体器件及其制作方法 [P].

李培权 ;

薛广杰 ;

刘志文 .

中国专利 :CN119560481A ,2025-03-04

[6]

半导体器件及其制作方法 [P].

罗鹏程 ;

李广宁 .

中国专利 :CN105448987B ,2016-03-30

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

薛琬晴 ;

靳耀乐 ;

严翔 ;

闫晓晖 ;

丁丽真 ;

沈文杰 .

中国专利 :CN118571842A ,2024-08-30

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

韩秋华 ;

林益世 .

中国专利 :CN103839879A ,2014-06-04

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

尹海洲 ;

骆志炯 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102237311B ,2011-11-09

[10]

沟槽功率器件及其制作方法 [P].

吴亚贞 ;

刘宪周 .

中国专利 :CN103441149A ,2013-12-11

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