在硅衬底上制备氮化镓LED的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310480281.0

申请日：

2013-10-15

公开(公告)号：

CN104576840B

公开(公告)日：

2015-04-29

发明(设计)人：

张明亮

申请人：

申请人地址：

214000 江苏省无锡市惠山经济开发区堰新路311号3号楼1401、1402室

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京市恒有知识产权代理事务所(普通合伙) 11576

代理人：

薛瑞

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-04	授权	授权
2015-09-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101624204049 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2013104802810 申请日:20131015
2019-10-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20131015 授权公告日:20170804 终止日期:20181015
2015-04-29	公开	公开

共 50 条

[1]

在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法 [P].

刘祥林 ;

焦春美 ;

于英仪 ;

赵凤瑗 .

中国专利 :CN1779910A ,2006-05-31

[2]

一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法 [P].

王晓亮 ;

李百泉 ;

肖红领 .

中国专利 :CN110752146A ,2020-02-04

[3]

用于AC LED的硅衬底上的氮化镓LED与氮化铝镓/氮化镓器件的集成 [P].

T.钟 .

中国专利 :CN104170089B ,2014-11-26

[4]

硅衬底上氮化镓生长方法 [P].

陈祈铭 ;

刘柏均 ;

林宏达 ;

喻中一 ;

蔡嘉雄 ;

黃和涌 .

中国专利 :CN103137446A ,2013-06-05

[5]

在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 [P].

刘喆 ;

李晋闽 ;

王军喜 ;

王晓亮 ;

王启元 ;

刘宏新 ;

王俊 ;

曾一平 .

中国专利 :CN1967778A ,2007-05-23

[6]

在硅衬底上实现氮化镓薄膜低温沉积的方法 [P].

陈俊芳 ;

李炜 ;

孟然 ;

薛永奇 ;

王燕 .

中国专利 :CN101369620A ,2009-02-18

[7]

在硅上沉积氮化镓的方法 [P].

C·莫德 ;

D·福勒 ;

I·D·布克 ;

U·H·哈恩 .

德国专利 :CN120457236A ,2025-08-08

[8]

硅衬底上外延氮化镓薄膜及制备HEMT器件的方法 [P].

方浩 .

中国专利 :CN105719968A ,2016-06-29

[9]

硅衬底上横向外延生长氮化镓的方法 [P].

王质武 .

中国专利 :CN101469446A ,2009-07-01

[10]

生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片及其制备方法 [P].

李国强 ;

韩晶磊 ;

温雷 ;

高芳亮 .

中国专利 :CN106981549A ,2017-07-25

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