在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410009858.0

申请日：

2004-11-25

公开(公告)号：

CN1779910A

公开(公告)日：

2006-05-31

发明(设计)人：

刘祥林焦春美于英仪赵凤瑗

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

H01L2102 H01L3300 H01S5323 H01S5343

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

周国城

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-07-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-04-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2006-05-31	公开	公开

共 50 条

[1]

硅衬底上氮化镓生长方法 [P].

陈祈铭 ;

刘柏均 ;

林宏达 ;

喻中一 ;

蔡嘉雄 ;

黃和涌 .

中国专利 :CN103137446A ,2013-06-05

[2]

硅衬底上生长低位错氮化镓的方法 [P].

张宝顺 ;

王晓华 .

中国专利 :CN1309013C ,2005-01-05

[3]

自剥离氮化镓衬底材料的制备方法 [P].

邱凯 ;

尹志军 ;

李新化 ;

钟飞 ;

解新建 ;

王玉琦 .

中国专利 :CN100454490C ,2008-04-02

[4]

采用硅图形衬底生长氮化镓外延方法 [P].

梁辉南 .

中国专利 :CN107910244B ,2018-04-13

[5]

在硅衬底上生长碳化硅\氮化镓材料的方法 [P].

陈诺夫 ;

杨霏 .

中国专利 :CN1719581A ,2006-01-11

[6]

在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 [P].

王晓亮 ;

罗卫军 ;

郭伦春 ;

肖红领 ;

李建平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN101515543A ,2009-08-26

[7]

在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 [P].

刘喆 ;

李晋闽 ;

王军喜 ;

王晓亮 ;

王启元 ;

刘宏新 ;

王俊 ;

曾一平 .

中国专利 :CN1967778A ,2007-05-23

[8]

在硅衬底上实现氮化镓薄膜低温沉积的方法 [P].

陈俊芳 ;

李炜 ;

孟然 ;

薛永奇 ;

王燕 .

中国专利 :CN101369620A ,2009-02-18

[9]

在硅衬底上制备氮化镓LED的方法 [P].

张明亮 .

中国专利 :CN104576840B ,2015-04-29

[10]

基于六方氮化硼和氮化铝在金刚石衬底上生长氮化镓的方法 [P].

宁静 ;

刘起显 ;

王东 ;

张进成 ;

贾彦青 ;

闫朝超 ;

郝跃 .

中国专利 :CN110690105B ,2020-01-14

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