硅岛结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810968228.8

申请日：

2018-08-23

公开(公告)号：

CN110858561A

公开(公告)日：

2020-03-03

发明(设计)人：

蒲甜松李庆民陈信全

申请人：

申请人地址：

230012 安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑星

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-01	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/762 变更事项:申请人变更前:合肥晶合集成电路有限公司变更后:合肥晶合集成电路股份有限公司变更事项:地址变更前:230012 安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号变更后:230012 安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号
2020-03-03	公开	公开
2020-03-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20180823

共 50 条

[1]

绝缘体上硅结构及其制作方法 [P].

周洁鹏 ;

贡祎琪 .

中国专利 :CN111816666A ,2020-10-23

[2]

一种硅纳米孔结构及其制作方法 [P].

袁志山 ;

王成勇 .

中国专利 :CN107416762A ,2017-12-01

[3]

硅基光波导结构及其制作方法 [P].

盛振 ;

武爱民 ;

仇超 ;

赵瑛璇 ;

高腾 ;

甘甫烷 ;

王曦 .

中国专利 :CN108873167B ,2018-11-23

[4]

硅波导端面耦合结构及其制作方法 [P].

张巍 ;

顿鹏翔 ;

黄翊东 ;

冯雪 ;

刘仿 ;

崔开宇 .

中国专利 :CN111679363B ,2020-09-18

[5]

硅基光波导结构及其制作方法 [P].

盛振 ;

武爱民 ;

仇超 ;

赵瑛璇 ;

高腾 ;

甘甫烷 ;

王曦 .

中国专利 :CN108873161A ,2018-11-23

[6]

硅腔结构制作方法以及硅腔结构 [P].

周海锋 .

中国专利 :CN104409504A ,2015-03-11

[7]

绝缘体上硅结构及其制作方法 [P].

令海阳 .

中国专利 :CN109524425A ,2019-03-26

[8]

硅衬底GaN基LED结构及其制作方法 [P].

刘凯 ;

孙夕庆 .

中国专利 :CN102496665A ,2012-06-13

[9]

多晶硅高阻结构及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108063128B ,2018-05-22

[10]

穿透硅通孔结构制作方法 [P].

王坚 ;

贾照伟 ;

金一诺 ;

王晖 .

中国专利 :CN104143526B ,2014-11-12

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