一种自旋电子器件及其制备方法、调控方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910112795.8

申请日：

2019-02-13

公开(公告)号：

CN109904291A

公开(公告)日：

2019-06-18

发明(设计)人：

肖灿王瑞龙徐家伟程路明田亚文孙华伟杨昌平梁世恒

申请人：

申请人地址：

430000 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

H01L3306 H01L3330 H01L3300

代理机构：

武汉河山金堂专利事务所(普通合伙) 42212

代理人：

胡清堂

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/14 申请日:20190213 授权公告日:20210928 终止日期:20220213
2019-07-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/14 申请日:20190213
2019-06-18	公开	公开
2021-09-28	授权	授权

共 50 条

[1]

自旋电子器件及其制备方法 [P].

翟鹏 ;

方玮嘉 ;

萧仲钦 ;

卫子健 .

中国专利 :CN119451550A ,2025-02-14

[2]

一种自旋电子器件及其制备方法 [P].

潘孟春 ;

邱伟成 ;

李裴森 ;

彭俊平 ;

胡悦国 ;

胡佳飞 ;

陈棣湘 ;

田武刚 ;

张琦 .

中国专利 :CN109962157B ,2019-07-02

[3]

一种自旋电子器件制备方法、制备工件及其制备方法 [P].

张悦 ;

南江 ;

赵巍胜 .

中国专利 :CN110828558B ,2020-02-21

[4]

一种电场调控的二维自旋电子器件及其制备方法 [P].

吴雅苹 ;

柯聪明 ;

周江鹏 ;

康俊勇 ;

吴志明 ;

张纯淼 .

中国专利 :CN108767107B ,2018-11-06

[5]

一种光响应的自旋电子器件及其制备方法 [P].

金立川 ;

朱虹宇 ;

贾侃成 ;

何昱杰 ;

唐晓莉 ;

钟智勇 ;

张怀武 .

中国专利 :CN110176533B ,2019-08-27

[6]

磁隧道结结构及其制备方法、自旋电子器件 [P].

王鹤 ;

赵亮 ;

刘波 ;

王志明 ;

刘仲 ;

张贝 ;

骆柏锋 ;

吕前程 ;

杨豪 ;

林均怡 ;

叶震亮 ;

李政凯 ;

顾衍璋 ;

崔文俊 ;

雷一勇 ;

阳浩 .

中国专利 :CN120513019A ,2025-08-19

[7]

一种自旋光电子器件及其自旋注入方法 [P].

杨晓杰 .

中国专利 :CN103779463A ,2014-05-07

[8]

单晶自旋电子器件、制备方法及其三维集成制备方法 [P].

陈嘉民 .

中国专利 :CN111490157A ,2020-08-04

[9]

一种实现可见光调控界面磁性的自旋电子器件及制备方法 [P].

刘明 ;

周子尧 ;

胡忠强 ;

赵一凡 ;

彭晚军 ;

赵士舜 .

中国专利 :CN109768155B ,2019-05-17

[10]

一种具有多态及类突触的自旋电子器件及其制备方法 [P].

梁世恒 ;

刘耿硕 ;

吴闯文 ;

孟德全 ;

曾光 ;

王瑞龙 .

中国专利 :CN114709328A ,2022-07-05

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