一种自旋电子器件制备方法、制备工件及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201911036784.2
申请日
2019-10-29
公开(公告)号
CN110828558B
公开(公告)日
2020-02-21
发明(设计)人
张悦 南江 赵巍胜
申请人
申请人地址
100191 北京市海淀区学院路37号
IPC主分类号
H01L2966
IPC分类号
代理机构
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
赵平;周永君
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
自旋电子器件及其制备方法 [P]. 
翟鹏 ;
方玮嘉 ;
萧仲钦 ;
卫子健 .
中国专利 :CN119451550A ,2025-02-14
[2]
一种自旋电子器件及其制备方法 [P]. 
潘孟春 ;
邱伟成 ;
李裴森 ;
彭俊平 ;
胡悦国 ;
胡佳飞 ;
陈棣湘 ;
田武刚 ;
张琦 .
中国专利 :CN109962157B ,2019-07-02
[3]
一种自旋电子器件及其制备方法、调控方法 [P]. 
肖灿 ;
王瑞龙 ;
徐家伟 ;
程路明 ;
田亚文 ;
孙华伟 ;
杨昌平 ;
梁世恒 .
中国专利 :CN109904291A ,2019-06-18
[4]
一种光响应的自旋电子器件及其制备方法 [P]. 
金立川 ;
朱虹宇 ;
贾侃成 ;
何昱杰 ;
唐晓莉 ;
钟智勇 ;
张怀武 .
中国专利 :CN110176533B ,2019-08-27
[5]
磁隧道结结构及其制备方法、自旋电子器件 [P]. 
王鹤 ;
赵亮 ;
刘波 ;
王志明 ;
刘仲 ;
张贝 ;
骆柏锋 ;
吕前程 ;
杨豪 ;
林均怡 ;
叶震亮 ;
李政凯 ;
顾衍璋 ;
崔文俊 ;
雷一勇 ;
阳浩 .
中国专利 :CN120513019A ,2025-08-19
[6]
单晶自旋电子器件、制备方法及其三维集成制备方法 [P]. 
陈嘉民 .
中国专利 :CN111490157A ,2020-08-04
[7]
电子器件及其制备方法 [P]. 
马库斯·赫默特 ;
托马斯·罗泽诺 .
德国专利 :CN109599494B ,2024-01-23
[8]
电子器件及其制备方法 [P]. 
吕林静 ;
许继辉 .
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[9]
电子器件及其制备方法 [P]. 
薛静 ;
李必奇 ;
王智勇 ;
宋勇 ;
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中国专利 :CN114899173A ,2022-08-12
[10]
电子器件及其制备方法 [P]. 
弗朗索瓦·卡尔迪纳利 ;
杰罗姆·加尼耶 ;
卡斯滕·罗特 ;
本杰明·舒尔策 .
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