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碳化硅二极管结构
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202121444412.6
申请日
:
2021-06-28
公开(公告)号
:
CN215731735U
公开(公告)日
:
2022-02-01
发明(设计)人
:
不公告发明人
申请人
:
申请人地址
:
255025 山东省淄博市高新区中润大道158号MEMS产业园区8#楼4楼416
IPC主分类号
:
H01L29872
IPC分类号
:
H01L2906
代理机构
:
上海段和段律师事务所 31334
代理人
:
郭国中;李佳俊
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-02-01
授权
授权
共 50 条
[1]
碳化硅二极管结构及制作方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
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0
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0
不公告发明人
.
中国专利
:CN113540258A
,2021-10-22
[2]
碳化硅二极管
[P].
不公告发明人
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0
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不公告发明人
.
中国专利
:CN216597592U
,2022-05-24
[3]
用于增强可靠性的JBS碳化硅二极管器件结构
[P].
不公告发明人
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0
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不公告发明人
.
中国专利
:CN216528860U
,2022-05-13
[4]
一种碳化硅二极管的制备方法及碳化硅二极管
[P].
何钧
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何钧
;
郑柳
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郑柳
.
中国专利
:CN109509706A
,2019-03-22
[5]
一种碳化硅二极管
[P].
郑柳
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郑柳
;
何钧
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何钧
.
中国专利
:CN210926028U
,2020-07-03
[6]
碳化硅肖特基二极管
[P].
刘圣前
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刘圣前
;
杨程
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杨程
;
王毅
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王毅
.
中国专利
:CN217214727U
,2022-08-16
[7]
沟槽型碳化硅JBS二极管器件
[P].
王坤
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机构:
扬州扬杰电子科技股份有限公司
扬州扬杰电子科技股份有限公司
王坤
;
杨程
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机构:
扬州扬杰电子科技股份有限公司
扬州扬杰电子科技股份有限公司
杨程
;
万胜堂
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机构:
扬州扬杰电子科技股份有限公司
扬州扬杰电子科技股份有限公司
万胜堂
;
王正
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机构:
扬州扬杰电子科技股份有限公司
扬州扬杰电子科技股份有限公司
王正
;
陈鸿骏
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机构:
扬州扬杰电子科技股份有限公司
扬州扬杰电子科技股份有限公司
陈鸿骏
;
赵耀
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机构:
扬州扬杰电子科技股份有限公司
扬州扬杰电子科技股份有限公司
赵耀
;
王毅
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机构:
扬州扬杰电子科技股份有限公司
扬州扬杰电子科技股份有限公司
王毅
.
中国专利
:CN221176231U
,2024-06-18
[8]
高浪涌电流能力碳化硅二极管
[P].
朱袁正
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朱袁正
;
杨卓
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杨卓
;
周锦程
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周锦程
;
叶鹏
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叶鹏
.
中国专利
:CN208608204U
,2019-03-15
[9]
碳化硅肖特基二极管
[P].
甘新慧
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甘新慧
;
蒋正勇
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蒋正勇
;
朱家从
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朱家从
;
计建新
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计建新
;
盛况
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盛况
;
郭清
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郭清
.
中国专利
:CN111628008A
,2020-09-04
[10]
碳化硅肖特基二极管
[P].
S·迪米特里杰夫
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S·迪米特里杰夫
;
J·韩
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J·韩
.
中国专利
:CN110291646A
,2019-09-27
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