碳化硅二极管结构

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202121444412.6
申请日
2021-06-28
公开(公告)号
CN215731735U
公开(公告)日
2022-02-01
发明(设计)人
不公告发明人
申请人
申请人地址
255025 山东省淄博市高新区中润大道158号MEMS产业园区8#楼4楼416
IPC主分类号
H01L29872
IPC分类号
H01L2906
代理机构
上海段和段律师事务所 31334
代理人
郭国中;李佳俊
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
碳化硅二极管结构及制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN113540258A ,2021-10-22
[2]
碳化硅二极管 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN216597592U ,2022-05-24
[3]
用于增强可靠性的JBS碳化硅二极管器件结构 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN216528860U ,2022-05-13
[4]
一种碳化硅二极管的制备方法及碳化硅二极管 [P]. 
何钧 ;
郑柳 .
中国专利 :CN109509706A ,2019-03-22
[5]
一种碳化硅二极管 [P]. 
郑柳 ;
何钧 .
中国专利 :CN210926028U ,2020-07-03
[6]
碳化硅肖特基二极管 [P]. 
刘圣前 ;
杨程 ;
王毅 .
中国专利 :CN217214727U ,2022-08-16
[7]
沟槽型碳化硅JBS二极管器件 [P]. 
王坤 ;
杨程 ;
万胜堂 ;
王正 ;
陈鸿骏 ;
赵耀 ;
王毅 .
中国专利 :CN221176231U ,2024-06-18
[8]
高浪涌电流能力碳化硅二极管 [P]. 
朱袁正 ;
杨卓 ;
周锦程 ;
叶鹏 .
中国专利 :CN208608204U ,2019-03-15
[9]
碳化硅肖特基二极管 [P]. 
甘新慧 ;
蒋正勇 ;
朱家从 ;
计建新 ;
盛况 ;
郭清 .
中国专利 :CN111628008A ,2020-09-04
[10]
碳化硅肖特基二极管 [P]. 
S·迪米特里杰夫 ;
J·韩 .
中国专利 :CN110291646A ,2019-09-27