沟槽型碳化硅JBS二极管器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202322893078.8

申请日：

2023-10-27

公开(公告)号：

CN221176231U

公开(公告)日：

2024-06-18

发明(设计)人：

王坤杨程万胜堂王正陈鸿骏赵耀王毅

申请人：

扬州扬杰电子科技股份有限公司

申请人地址：

225008 江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期

IPC主分类号：

H01L29/872

IPC分类号：

H01L29/36 H01L29/417 H01L29/06 H01L21/329

代理机构：

扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283

代理人：

郭翔

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

江苏省扬州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-03	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移IPC(主分类):H01L 29/872登记生效日:20241118变更事项:专利权人变更前权利人:扬州扬杰电子科技股份有限公司变更后权利人:扬州杰冠微电子有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:225008 江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期变更后权利人:225000 江苏省扬州市邗江区汽车产业园新甘泉东路56号
2024-06-18	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅二极管 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN216597592U ,2022-05-24

[2]

碳化硅二极管结构 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN215731735U ,2022-02-01

[3]

具备沟槽体二极管的碳化硅MOSFET [P].

王正 ;

杨程 ;

万胜堂 ;

王坤 ;

陈鸿骏 ;

赵耀 ;

王毅 .

中国专利 :CN221407314U ,2024-07-23

[4]

碳化硅肖特基二极管 [P].

刘圣前 ;

杨程 ;

王毅 .

中国专利 :CN217214727U ,2022-08-16

[5]

一种碳化硅功率二极管 [P].

陈道坤 ;

史波 ;

曾丹 ;

敖利波 .

中国专利 :CN211828777U ,2020-10-30

[6]

一种沟槽型碳化硅二极管器件及其制备方法 [P].

陈雪萌 ;

王艳颖 .

中国专利 :CN118866987A ,2024-10-29

[7]

一种碳化硅二极管器件 [P].

陈彤 .

中国专利 :CN207868205U ,2018-09-14

[8]

用于增强可靠性的JBS碳化硅二极管器件结构 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN216528860U ,2022-05-13

[9]

一种碳化硅二极管 [P].

郑柳 ;

何钧 .

中国专利 :CN210926028U ,2020-07-03

[10]

稳定型碳化硅二极管器件 [P].

赵耀 ;

刘圣前 ;

杨程 ;

原江伟 ;

傅信强 ;

陈鸿骏 ;

王毅 .

中国专利 :CN217544627U ,2022-10-04

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