一种双螺旋结构的双D型光纤微弱磁场传感器及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011522761.5

申请日：

2020-12-21

公开(公告)号：

CN112611991B

公开(公告)日：

2021-04-06

发明(设计)人：

梁璀张登伟冀翔舒晓武

申请人：

申请人地址：

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

G01R33032

IPC分类号：

B29C64135 B33Y1000 B33Y8000 B81B700

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

郑海峰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-22	授权	授权
2021-04-06	公开	公开
2022-04-01	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):G01R 33/032 变更事项:发明人变更前:张登伟梁璀冀翔舒晓武变更后:梁璀张登伟冀翔舒晓武
2021-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 33/032 申请日:20201221

共 50 条

[1]

一种双螺旋状平面波导磁场传感器及其制作方法 [P].

梁璀 ;

张登伟 ;

冀翔 ;

舒晓武 .

中国专利 :CN112763945B ,2021-05-07

[2]

一种基于3D打印技术的盘状探头型磁场传感器及其制作方法 [P].

张登伟 ;

张智航 ;

魏鹤鸣 ;

舒晓武 ;

车双良 .

中国专利 :CN112763944B ,2021-05-07

[3]

基于双FP腔复合结构的光纤微弱磁场传感器 [P].

江宇璇 ;

宋志强 ;

杨水旺 ;

张毅 .

中国专利 :CN119355597A ,2025-01-24

[4]

一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的高灵敏度磁场传感器及其制作方法 [P].

张登伟 ;

梁璀 .

中国专利 :CN111443312B ,2024-07-05

[5]

一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的高灵敏度磁场传感器及其制作方法 [P].

张登伟 ;

梁璀 .

中国专利 :CN111443312A ,2020-07-24

[6]

一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F-P磁场传感器及其制作方法 [P].

张登伟 ;

梁璀 ;

魏鹤鸣 .

中国专利 :CN111443313A ,2020-07-24

[7]

一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F-P磁场传感器及其制作方法 [P].

张登伟 ;

梁璀 ;

魏鹤鸣 .

中国专利 :CN111443313B ,2024-06-25

[8]

一种基于多材料3D打印技术的盘状微结构磁场传感器 [P].

张登伟 ;

张智航 ;

杨建华 ;

陈侃 ;

舒晓武 ;

车双良 ;

佘玄 ;

周一览 ;

陈杏藩 .

中国专利 :CN112611990B ,2021-04-06

[9]

一体成型光纤微传感器及其制作方法 [P].

姜澜 ;

赵龙江 ;

王素梅 .

中国专利 :CN101979963A ,2011-02-23

[10]

一种干涉型反射探针式光纤微传感器及其制作方法 [P].

姜澜 ;

曹志涛 ;

王素梅 ;

王鹏 ;

张飞 .

中国专利 :CN103940456A ,2014-07-23

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