一种双螺旋状平面波导磁场传感器及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011520064.6

申请日：

2020-12-21

公开(公告)号：

CN112763945B

公开(公告)日：

2021-05-07

发明(设计)人：

梁璀张登伟冀翔舒晓武

申请人：

申请人地址：

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

G01R33032

IPC分类号：

G02B612 G02B6125 G02B613 B33Y1000 B29C64135

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

郑海峰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 33/032 申请日:20201221
2022-05-20	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):G01R 33/032 变更事项:发明人变更前:张登伟梁璀冀翔舒晓武变更后:梁璀张登伟冀翔舒晓武
2021-05-07	公开	公开
2022-05-27	授权	授权

共 50 条

[1]

一种双螺旋结构的双D型光纤微弱磁场传感器及其制作方法 [P].

梁璀 ;

张登伟 ;

冀翔 ;

舒晓武 .

中国专利 :CN112611991B ,2021-04-06

[2]

一种基于3D打印技术的盘状探头型磁场传感器及其制作方法 [P].

张登伟 ;

张智航 ;

魏鹤鸣 ;

舒晓武 ;

车双良 .

中国专利 :CN112763944B ,2021-05-07

[3]

一种基于多材料3D打印技术的盘状微结构磁场传感器 [P].

张登伟 ;

张智航 ;

杨建华 ;

陈侃 ;

舒晓武 ;

车双良 ;

佘玄 ;

周一览 ;

陈杏藩 .

中国专利 :CN112611990B ,2021-04-06

[4]

一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的高灵敏度磁场传感器及其制作方法 [P].

张登伟 ;

梁璀 .

中国专利 :CN111443312B ,2024-07-05

[5]

一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的高灵敏度磁场传感器及其制作方法 [P].

张登伟 ;

梁璀 .

中国专利 :CN111443312A ,2020-07-24

[6]

磁场传感器及其制作方法 [P].

C·肖特 ;

M·梅特尔 ;

C·鲍尔 .

中国专利 :CN107112414B ,2017-08-29

[7]

一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F-P磁场传感器及其制作方法 [P].

张登伟 ;

梁璀 ;

魏鹤鸣 .

中国专利 :CN111443313A ,2020-07-24

[8]

一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F-P磁场传感器及其制作方法 [P].

张登伟 ;

梁璀 ;

魏鹤鸣 .

中国专利 :CN111443313B ,2024-06-25

[9]

一种磁场传感器及其制作方法 [P].

赵晓锋 ;

车昊阳 .

中国专利 :CN119199665A ,2024-12-27

[10]

MEMS磁场传感器及其制作方法 [P].

关蒙萌 ;

胡忠强 .

中国专利 :CN119224658A ,2024-12-31

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