陶瓷晶界层电容器制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03126252.X

申请日：

2003-07-16

公开(公告)号：

CN1301516C

公开(公告)日：

2004-02-18

发明(设计)人：

张锐王海龙许红亮关绍康

申请人：

申请人地址：

450052河南省郑州市大学路75号

IPC主分类号：

H01G412

IPC分类号：

C04B3500

代理机构：

郑州科维专利代理有限公司

代理人：

王锋;马忠

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-02-21	授权	授权
2004-04-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-09-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101586667166 IPC(主分类):H01G 4/12 专利号:ZL03126252X 申请日:20030716 授权公告日:20070221 终止日期:20130716
2009-06-24	专利实施许可合同的备案	专利实施许可合同的备案受让人:焦作市维纳精细陶瓷有限公司发明名称:陶瓷晶界层电容器制备方法申请日:20030716 授权公告日:20070221 合同备案号:2009410000065 让与人:郑州大学许可种类:独占许可备案日期:2009.4.24 合同履行期限:2009.4.15至2014.4.15合同变更
2004-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

晶界层半导体陶瓷电容器制造方法 [P].

章士瀛 ;

王振平 ;

王守士 .

中国专利 :CN1389882A ,2003-01-08

[2]

一种高频晶界层陶瓷电容器介质 [P].

黄新友 ;

高春华 ;

李军 .

中国专利 :CN106587996B ,2017-04-26

[3]

一种高频晶界层陶瓷电容器介质及其制备方法 [P].

黄新友 ;

李军 ;

高春华 .

中国专利 :CN103524127A ,2014-01-22

[4]

一种SrTiO3基晶界层陶瓷电容器及制备方法 [P].

吕明 ;

贺凡 .

中国专利 :CN109942291B ,2019-06-28

[5]

一种高介晶界层陶瓷电容器介质及其制备方法 [P].

黄新友 ;

高春华 ;

李军 .

中国专利 :CN103664163A ,2014-03-26

[6]

一种晶界层陶瓷电容器及其制造工艺 [P].

刘剑林 ;

韩玉成 ;

朱威禹 ;

黄伟训 ;

廖东 .

中国专利 :CN106373782B ,2017-02-01

[7]

一种低温度系数晶界层陶瓷电容器介质及其制备方法 [P].

高春华 ;

黄新友 ;

李军 .

中国专利 :CN103508732B ,2014-01-15

[8]

一种单层片式晶界层陶瓷电容器的切割方法 [P].

关秋云 ;

吴继伟 ;

刘溪笔 ;

杨国兴 ;

郝泳鑫 ;

王迪 .

中国专利 :CN110228140A ,2019-09-13

[9]

一种晶界层电容器的制备方法 [P].

张木森 ;

何创创 ;

杨昌平 ;

庞锦标 ;

肖海波 ;

王学杰 ;

王瑞龙 ;

杨俊 .

中国专利 :CN110808163A ,2020-02-18

[10]

叠层陶瓷电容器 [P].

岩永大介 .

中国专利 :CN1728305A ,2006-02-01

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