晶界层半导体陶瓷电容器制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02115171.7

申请日：

2002-04-29

公开(公告)号：

CN1389882A

公开(公告)日：

2003-01-08

发明(设计)人：

章士瀛王振平王守士

申请人：

申请人地址：

523077广东省东莞市南城科技工业园

IPC主分类号：

H01G412

IPC分类号：

H01G1300

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-10-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-07-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2003-01-08	公开	公开
2003-04-02	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

制造SrTiO3晶界层半导体陶瓷电容器的方法 [P].

庄严 ;

张绪礼 ;

朱卓雄 .

中国专利 :CN1417815A ,2003-05-14

[2]

晶界绝缘型半导体陶瓷、半导体陶瓷电容器以及半导体陶瓷电容器的制造方法 [P].

立川勉 .

中国专利 :CN102649642B ,2012-08-29

[3]

半导体陶瓷、层叠型半导体陶瓷电容器、半导体陶瓷的制造方法、层叠型的半导体陶瓷电容器的制造方法 [P].

川本光俊 .

中国专利 :CN101346325B ,2009-01-14

[4]

半导体陶瓷电容器 [P].

小野秀一 ;

板垣秋一 ;

矢作正博 ;

古川喜代志 ;

藤原忍 ;

及川泰伸 .

中国专利 :CN1046635A ,1990-10-31

[5]

层叠型半导体陶瓷电容器的制造方法、以及层叠型半导体陶瓷电容器 [P].

川本光俊 .

中国专利 :CN103098157B ,2013-05-08

[6]

陶瓷粉末、半导体陶瓷电容器及其制造方法 [P].

川本光俊 ;

佐野笃史 ;

石川达也 ;

小林靖知 ;

藤田吉宏 ;

木村祐树 ;

草野雄一 .

中国专利 :CN103608881B ,2014-02-26

[7]

陶瓷晶界层电容器制备方法 [P].

张锐 ;

王海龙 ;

许红亮 ;

关绍康 .

中国专利 :CN1301516C ,2004-02-18

[8]

半导体陶瓷和层叠型半导体陶瓷电容器 [P].

石井辰也 ;

增田健一郎 ;

日高重和 ;

夏井秀定 ;

塚田岳夫 .

中国专利 :CN102731089A ,2012-10-17

[9]

半导体陶瓷粉末、半导体陶瓷及层叠型半导体陶瓷电容器 [P].

川本光俊 .

中国专利 :CN101687663B ,2010-03-31

[10]

半导体陶瓷电容器还原烧成炉 [P].

李言 ;

黄瑞南 ;

林榕 .

中国专利 :CN203364599U ,2013-12-25

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