晶界绝缘型半导体陶瓷、半导体陶瓷电容器以及半导体陶瓷电容器的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210034635.4

申请日：

2012-02-10

公开(公告)号：

CN102649642B

公开(公告)日：

2012-08-29

发明(设计)人：

立川勉

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

H01G412

IPC分类号：

H01G428

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

胡烨

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-02	授权	授权
2012-08-29	公开	公开
2012-10-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101337333748 IPC(主分类):C04B 35/47 专利申请号:2012100346354 申请日:20120210

共 50 条

[1]

半导体陶瓷、层叠型半导体陶瓷电容器、半导体陶瓷的制造方法、层叠型的半导体陶瓷电容器的制造方法 [P].

川本光俊 .

中国专利 :CN101346325B ,2009-01-14

[2]

半导体陶瓷电容器 [P].

小野秀一 ;

板垣秋一 ;

矢作正博 ;

古川喜代志 ;

藤原忍 ;

及川泰伸 .

中国专利 :CN1046635A ,1990-10-31

[3]

层叠型半导体陶瓷电容器的制造方法、以及层叠型半导体陶瓷电容器 [P].

川本光俊 .

中国专利 :CN103098157B ,2013-05-08

[4]

半导体陶瓷和层叠型半导体陶瓷电容器 [P].

石井辰也 ;

增田健一郎 ;

日高重和 ;

夏井秀定 ;

塚田岳夫 .

中国专利 :CN102731089A ,2012-10-17

[5]

半导体陶瓷粉末、半导体陶瓷及层叠型半导体陶瓷电容器 [P].

川本光俊 .

中国专利 :CN101687663B ,2010-03-31

[6]

晶界层半导体陶瓷电容器制造方法 [P].

章士瀛 ;

王振平 ;

王守士 .

中国专利 :CN1389882A ,2003-01-08

[7]

陶瓷粉末、半导体陶瓷电容器及其制造方法 [P].

川本光俊 ;

佐野笃史 ;

石川达也 ;

小林靖知 ;

藤田吉宏 ;

木村祐树 ;

草野雄一 .

中国专利 :CN103608881B ,2014-02-26

[8]

半导体陶瓷电容器还原烧成炉 [P].

李言 ;

黄瑞南 ;

林榕 .

中国专利 :CN203364599U ,2013-12-25

[9]

半导体陶瓷及其制造方法、以及带变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法 [P].

川本光俊 .

中国专利 :CN103270564A ,2013-08-28

[10]

带有变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器 [P].

川本光俊 .

中国专利 :CN102347132B ,2012-02-08

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