半导体陶瓷和层叠型半导体陶瓷电容器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210087451.4

申请日：

2012-03-29

公开(公告)号：

CN102731089A

公开(公告)日：

2012-10-17

发明(设计)人：

石井辰也增田健一郎日高重和夏井秀定塚田岳夫

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C04B35468

IPC分类号：

H01G412 H01G430

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

庞立志;高旭轶

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101703034971 IPC(主分类):C04B 35/468 专利申请号:2012100874514 申请公布日:20121017
2012-10-17	公开	公开
2012-12-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101363521510 IPC(主分类):C04B 35/468 专利申请号:2012100874514 申请日:20120329

共 50 条

[1]

半导体陶瓷粉末、半导体陶瓷及层叠型半导体陶瓷电容器 [P].

川本光俊 .

中国专利 :CN101687663B ,2010-03-31

[2]

半导体陶瓷、层叠型半导体陶瓷电容器、半导体陶瓷的制造方法、层叠型的半导体陶瓷电容器的制造方法 [P].

川本光俊 .

中国专利 :CN101346325B ,2009-01-14

[3]

层叠型半导体陶瓷电容器的制造方法、以及层叠型半导体陶瓷电容器 [P].

川本光俊 .

中国专利 :CN103098157B ,2013-05-08

[4]

半导体陶瓷电容器 [P].

小野秀一 ;

板垣秋一 ;

矢作正博 ;

古川喜代志 ;

藤原忍 ;

及川泰伸 .

中国专利 :CN1046635A ,1990-10-31

[5]

晶界绝缘型半导体陶瓷、半导体陶瓷电容器以及半导体陶瓷电容器的制造方法 [P].

立川勉 .

中国专利 :CN102649642B ,2012-08-29

[6]

带有变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器 [P].

川本光俊 .

中国专利 :CN102347132B ,2012-02-08

[7]

半导体陶瓷电容器还原烧成炉 [P].

李言 ;

黄瑞南 ;

林榕 .

中国专利 :CN203364599U ,2013-12-25

[8]

陶瓷粉末、半导体陶瓷电容器及其制造方法 [P].

川本光俊 ;

佐野笃史 ;

石川达也 ;

小林靖知 ;

藤田吉宏 ;

木村祐树 ;

草野雄一 .

中国专利 :CN103608881B ,2014-02-26

[9]

半导体陶瓷及其制造方法、以及带变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法 [P].

川本光俊 .

中国专利 :CN103270564A ,2013-08-28

[10]

带有变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法 [P].

川本光俊 .

中国专利 :CN105706199B ,2016-06-22

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