带有变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480061284.3

申请日：

2014-10-16

公开(公告)号：

CN105706199B

公开(公告)日：

2016-06-22

发明(设计)人：

川本光俊

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

H01G412

IPC分类号：

H01B312 H01G430

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

李逸雪

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-22	公开	公开
2018-07-27	授权	授权
2016-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101670880570 IPC(主分类):H01G 4/12 专利申请号:2014800612843 申请日:20141016

共 50 条

[1]

带有变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器 [P].

川本光俊 .

中国专利 :CN102347132B ,2012-02-08

[2]

带变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法 [P].

川本光俊 .

中国专利 :CN103370754B ,2013-10-23

[3]

带变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法 [P].

川本光俊 .

中国专利 :CN103858193A ,2014-06-11

[4]

层叠型半导体陶瓷电容器的制造方法、以及层叠型半导体陶瓷电容器 [P].

川本光俊 .

中国专利 :CN103098157B ,2013-05-08

[5]

半导体陶瓷、层叠型半导体陶瓷电容器、半导体陶瓷的制造方法、层叠型的半导体陶瓷电容器的制造方法 [P].

川本光俊 .

中国专利 :CN101346325B ,2009-01-14

[6]

半导体陶瓷及其制造方法、以及带变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法 [P].

川本光俊 .

中国专利 :CN103270564A ,2013-08-28

[7]

半导体陶瓷和层叠型半导体陶瓷电容器 [P].

石井辰也 ;

增田健一郎 ;

日高重和 ;

夏井秀定 ;

塚田岳夫 .

中国专利 :CN102731089A ,2012-10-17

[8]

带可变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法 [P].

谷晋辅 ;

川本光俊 .

中国专利 :CN101341558A ,2009-01-07

[9]

晶界绝缘型半导体陶瓷、半导体陶瓷电容器以及半导体陶瓷电容器的制造方法 [P].

立川勉 .

中国专利 :CN102649642B ,2012-08-29

[10]

半导体陶瓷粉末、半导体陶瓷及层叠型半导体陶瓷电容器 [P].

川本光俊 .

中国专利 :CN101687663B ,2010-03-31

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