晶界绝缘型半导体陶瓷、半导体陶瓷电容器以及半导体陶瓷电容器的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210034635.4

申请日：

2012-02-10

公开(公告)号：

CN102649642B

公开(公告)日：

2012-08-29

发明(设计)人：

立川勉

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

H01G412

IPC分类号：

H01G428

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

胡烨

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-02	授权	授权
2012-08-29	公开	公开
2012-10-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101337333748 IPC(主分类):C04B 35/47 专利申请号:2012100346354 申请日:20120210

共 50 条

[41]

半导体瓷介电容器 [P].

谢玉云 .

中国专利 :CN207587533U ,2018-07-06

[42]

电容器和半导体装置 [P].

季明华 .

中国专利 :CN2710165Y ,2005-07-13

[43]

电容器及半导体装置 [P].

李逸哲 ;

陈品如 ;

邱维刚 ;

黄彦杰 ;

郑凯文 ;

黄怀莹 ;

林佑明 .

中国专利 :CN223193813U ,2025-08-05

[44]

MOS电容器、半导体制造方法以及MOS电容器电路 [P].

刘思麟 ;

洪照俊 ;

彭永州 .

中国专利 :CN107564970A ,2018-01-09

[45]

低成本表面层型半导体陶瓷电容器瓷料的制造方法 [P].

陈玉林 .

中国专利 :CN103193479B ,2013-07-10

[46]

半导体电容器结构及制造方法 [P].

全宗植 ;

吴容哲 ;

杨涛 ;

李俊峰 ;

王文武 .

中国专利 :CN114068540A ,2022-02-18

[47]

半导体电容器结构及其制造方法 [P].

江红 .

中国专利 :CN102945849A ,2013-02-27

[48]

一种用于半导体陶瓷电容器介质芯片烧结的匣钵 [P].

李言 ;

黄瑞南 ;

林榕 .

中国专利 :CN203011157U ,2013-06-19

[49]

陶瓷及其制造方法、以及电介质电容器、半导体装置及元件 [P].

名取荣治 ;

木岛健 ;

古山晃一 ;

田崎雄三 .

中国专利 :CN1464862A ,2003-12-31

[50]

陶瓷及其制造方法、以及电介质电容器、半导体装置及元件 [P].

名取荣治 ;

木岛健 ;

古山晃一 ;

田崎雄三 .

中国专利 :CN1644496A ,2005-07-27

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