陶瓷及其制造方法、以及电介质电容器、半导体装置及元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510001873.5

申请日：

2002-06-13

公开(公告)号：

CN1644496A

公开(公告)日：

2005-07-27

发明(设计)人：

名取荣治木岛健古山晃一田崎雄三

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C01B3300

IPC分类号：

C04B3500 C04B35622 H01L2710 H01B312 H01B1900

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

余刚

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-09-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-07-27	公开	公开
2010-08-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101003710116 IPC(主分类):C01B 33/00 专利申请号:2005100018735 公开日:20050727

共 50 条

[1]

陶瓷及其制造方法、以及电介质电容器、半导体装置及元件 [P].

名取荣治 ;

木岛健 ;

古山晃一 ;

田崎雄三 .

中国专利 :CN1464862A ,2003-12-31

[2]

陶瓷及其制造方法、以及电介质电容器、半导体装置及元件 [P].

名取荣治 ;

木岛健 ;

古山晃一 ;

田崎雄三 .

中国专利 :CN101863667A ,2010-10-20

[3]

金属薄膜及其制造方法、电介质电容器及其制造方法及半导体装置 [P].

沢崎立雄 ;

黑川贤一 ;

田川辉男 ;

土屋健一 .

中国专利 :CN1684260A ,2005-10-19

[4]

电介质陶瓷及其制造方法以及层叠陶瓷电容器 [P].

西村仁志 ;

井上德之 ;

冈本贵史 .

中国专利 :CN101935211B ,2011-01-05

[5]

强电介质电容器及其制造方法以及半导体存储装置 [P].

长谷卓 .

中国专利 :CN1461055A ,2003-12-10

[6]

电介质陶瓷及其制造方法以及叠层陶瓷电容器 [P].

井上德之 ;

冈松俊宏 .

中国专利 :CN101489953A ,2009-07-22

[7]

电介质陶瓷及其制造方法以及叠层陶瓷电容器 [P].

井上德之 ;

冈松俊宏 .

中国专利 :CN102875144A ,2013-01-16

[8]

陶瓷膜及其制造方法、强电介质电容器及其制造方法 [P].

木岛健 ;

名取荣治 .

中国专利 :CN1551258A ,2004-12-01

[9]

强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件、强电介质膜的制造方法、和强电介质电容器的制造方法 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 ;

大桥幸司 .

中国专利 :CN1706007A ,2005-12-07

[10]

强电介质电容器的制造方法 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 ;

大桥幸司 .

中国专利 :CN1983519A ,2007-06-20

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