强电介质电容器及其制造方法以及半导体存储装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03136432.2

申请日：

2003-05-15

公开(公告)号：

CN1461055A

公开(公告)日：

2003-12-10

发明(设计)人：

长谷卓

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L2710

IPC分类号：

H01L2182 H01L2128 H01L2131

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

穆德骏;关兆辉

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101583577937 IPC(主分类):H01L 27/10 专利号:ZL031364322 申请日:20030515 授权公告日:20060405 终止日期:20130515
2003-12-10	公开	公开
2010-12-29	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101058193401 IPC(主分类):H01L 27/10 专利号:ZL031364322 变更事项:专利权人变更前:恩益禧电子股份有限公司变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川变更后:日本神奈川
2004-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-04-05	授权	授权

共 50 条

[1]

强电介质电容器及其制造方法和强电介质存储装置 [P].

大桥幸司 ;

木岛健 .

中国专利 :CN1763911A ,2006-04-26

[2]

具有强电介质电容器的存储单元阵列及其制造方法以及强电介质存储装置 [P].

名取荣治 ;

长谷川和正 ;

小口幸一 ;

西川尚男 ;

下田达也 .

中国专利 :CN1388990A ,2003-01-01

[3]

强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件、强电介质膜的制造方法、和强电介质电容器的制造方法 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 ;

大桥幸司 .

中国专利 :CN1706007A ,2005-12-07

[4]

强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 ;

大桥幸司 .

中国专利 :CN1983464B ,2007-06-20

[5]

强电介质存储装置及其制造方法 [P].

吉川贵文 ;

三河巧 .

中国专利 :CN1264220C ,2003-04-09

[6]

强电介质电容器的制造方法 [P].

木岛健 ;

滨田泰彰 ;

名取荣治 ;

大桥幸司 .

中国专利 :CN1983519A ,2007-06-20

[7]

强电介质电容器及其制造方法、强电介质存储器及压电元件 [P].

木岛健 ;

大桥幸司 ;

名取荣治 .

中国专利 :CN1532917A ,2004-09-29

[8]

陶瓷及其制造方法、以及电介质电容器、半导体装置及元件 [P].

名取荣治 ;

木岛健 ;

古山晃一 ;

田崎雄三 .

中国专利 :CN1464862A ,2003-12-31

[9]

陶瓷及其制造方法、以及电介质电容器、半导体装置及元件 [P].

名取荣治 ;

木岛健 ;

古山晃一 ;

田崎雄三 .

中国专利 :CN1644496A ,2005-07-27

[10]

陶瓷及其制造方法、以及电介质电容器、半导体装置及元件 [P].

名取荣治 ;

木岛健 ;

古山晃一 ;

田崎雄三 .

中国专利 :CN101863667A ,2010-10-20

← 1 2 3 4 5 →