半导体瓷介电容器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201721567970.5

申请日：

2017-11-22

公开(公告)号：

CN207587533U

公开(公告)日：

2018-07-06

发明(设计)人：

谢玉云

申请人：

申请人地址：

523000 广东省东莞市高埗镇下江城第三村工业区1栋四楼

IPC主分类号：

H01G208

IPC分类号：

H01G412

代理机构：

代理人：

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-06	授权	授权
2021-11-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01G 2/08 申请日:20171122 授权公告日:20180706 终止日期:20201122

共 50 条

[1]

高压瓷介电容器 [P].

谢玉云 .

中国专利 :CN207587538U ,2018-07-06

[2]

中压瓷介电容器 [P].

谢玉云 .

中国专利 :CN207602409U ,2018-07-10

[3]

超高压瓷介电容器 [P].

谢玉云 .

中国专利 :CN207602401U ,2018-07-10

[4]

一种半导体瓷介电容器 [P].

李正风 .

中国专利 :CN207868072U ,2018-09-14

[5]

安规瓷介电容器 [P].

谢玉云 .

中国专利 :CN207587540U ,2018-07-06

[6]

多层片式瓷介电容器 [P].

吴继伟 .

中国专利 :CN202549619U ,2012-11-21

[7]

片式高压瓷介电容器 [P].

章士瀛 ;

王振平 ;

王守士 .

中国专利 :CN2541937Y ,2003-03-26

[8]

多层片式瓷介电容器 [P].

吴继伟 ;

刘溪笔 ;

戚永义 ;

杨国兴 ;

才纯库 ;

孙飞 ;

孙影 .

中国专利 :CN213400883U ,2021-06-08

[9]

电容器（瓷介电容器-1） [P].

孙小云 ;

何剑峰 ;

赵广勇 ;

江幼春 .

中国专利 :CN303287266S ,2015-07-15

[10]

电容器（瓷介电容器-2） [P].

孙小云 ;

何剑峰 ;

赵广勇 ;

江幼春 .

中国专利 :CN303287269S ,2015-07-15

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