电容器（瓷介电容器-2）

被引：0

专利类型：

外观设计

申请号：

CN201430536052.1

申请日：

2014-12-18

公开(公告)号：

CN303287269S

公开(公告)日：

2015-07-15

发明(设计)人：

孙小云何剑峰赵广勇江幼春

申请人：

申请人地址：

412011 湖南省株洲市荷塘区新华东路1297号

IPC主分类号：

1303

IPC分类号：

代理机构：

上海硕力知识产权代理事务所 31251

代理人：

王法男

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-29	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101749139100 主分类号:13-03 专利号:ZL2014305360521 变更事项:专利权人变更前:株洲宏达电子有限公司变更后:株洲宏达电子股份有限公司变更事项:地址变更前:412011 湖南省株洲市荷塘区新华东路1297号变更后:412011 湖南省株洲市荷塘区新华东路1297号
2015-07-15	授权	授权
2019-12-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止主分类号:13-03 申请日:20141218 授权公告日:20150715 终止日期:20181218

共 50 条

[1]

电容器（瓷介电容器-1） [P].

孙小云 ;

何剑峰 ;

赵广勇 ;

江幼春 .

中国专利 :CN303287266S ,2015-07-15

[2]

电容器（多芯组瓷介电容器） [P].

赵广勇 ;

何剑锋 ;

江幼春 ;

彭立健 .

中国专利 :CN303287274S ,2015-07-15

[3]

高压瓷介电容器 [P].

谢玉云 .

中国专利 :CN207587538U ,2018-07-06

[4]

穿心瓷介电容器 [P].

藤原勲 ;

佐佐木节雄 .

中国专利 :CN1135579C ,1998-04-22

[5]

多层片式瓷介电容器 [P].

吴继伟 .

中国专利 :CN202549619U ,2012-11-21

[6]

半导体瓷介电容器 [P].

谢玉云 .

中国专利 :CN207587533U ,2018-07-06

[7]

多层片式瓷介电容器 [P].

吴继伟 ;

刘溪笔 ;

戚永义 ;

杨国兴 ;

才纯库 ;

孙飞 ;

孙影 .

中国专利 :CN112309720A ,2021-02-02

[8]

多层片式瓷介电容器 [P].

吴继伟 ;

刘溪笔 ;

戚永义 ;

杨国兴 ;

才纯库 ;

孙飞 ;

孙影 .

中国专利 :CN112309720B ,2024-10-15

[9]

安规瓷介电容器 [P].

谢玉云 .

中国专利 :CN207587540U ,2018-07-06

[10]

中压瓷介电容器 [P].

谢玉云 .

中国专利 :CN207602409U ,2018-07-10

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