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晶界绝缘型半导体陶瓷、半导体陶瓷电容器以及半导体陶瓷电容器的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201210034635.4
申请日：
2012-02-10
公开(公告)号：
CN102649642B
公开(公告)日：
2012-08-29
发明(设计)人：
立川勉
申请人：
申请人地址：
日本京都府
IPC主分类号：
H01G412
IPC分类号：
H01G428
代理机构：
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人：
胡烨
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2014-04-02 | 授权 | 授权 |
| 2012-08-29 | 公开 | 公开 |
| 2012-10-17 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101337333748 IPC(主分类):C04B 35/47 专利申请号:2012100346354 申请日:20120210 |