制造半导体电容器的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00122616.9

申请日：

2000-08-02

公开(公告)号：

CN1336685A

公开(公告)日：

2002-02-20

发明(设计)人：

王贤愈黄志坚吴坤霖

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路

IPC主分类号：

H01L2170

IPC分类号：

H01L21283 H01L213065

代理机构：

上海专利商标事务所

代理人：

李玲

法律状态：

专利权的视为放弃

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-10	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃
2002-02-20	公开	公开
2000-11-22	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器 [P].

金京民 ;

金东俊 ;

李光云 .

中国专利 :CN1819155A ,2006-08-16

[2]

电容器、半导体存储器件及制造电容器的方法 [P].

李正贤 ;

朴星昊 ;

徐范锡 .

中国专利 :CN1738062A ,2006-02-22

[3]

半导体电容器 [P].

早见泰明 ;

林哲也 ;

图子祐辅 ;

倪威 ;

大久保明范 .

中国专利 :CN109564894B ,2019-04-02

[4]

电容器、半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

佐藤优一 ;

方堂凉太 ;

饭田裕太 ;

森若智昭 .

日本专利 :CN117355134A ,2024-01-05

[5]

电容器、半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

佐藤优一 ;

方堂凉太 ;

饭田裕太 ;

森若智昭 .

中国专利 :CN110199386A ,2019-09-03

[6]

用于制造半导体电容器的方法 [P].

韩熙 ;

金璟晙 ;

崔棅圭 .

中国专利 :CN101689549A ,2010-03-31

[7]

半导体器件的电容器制造方法 [P].

李起正 ;

梁洪善 .

中国专利 :CN1172362C ,2002-07-31

[8]

MOS电容器、半导体制造方法以及MOS电容器电路 [P].

刘思麟 ;

洪照俊 ;

彭永州 .

中国专利 :CN107564970A ,2018-01-09

[9]

用于制造半导体器件的电容器的方法及电容器 [P].

崔璟根 .

中国专利 :CN1065658C ,1997-09-03

[10]

制造半导体器件的电容器的方法 [P].

木城耕一 .

中国专利 :CN1120524C ,1998-09-09

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