制造半导体器件的电容器的方法

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专利类型
发明
申请号
CN98104468.9
申请日
1998-02-18
公开(公告)号
CN1120524C
公开(公告)日
1998-09-09
发明(设计)人
木城耕一
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L21324
IPC分类号
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人
王永刚
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器 [P]. 
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金东俊 ;
李光云 .
中国专利 :CN1819155A ,2006-08-16
[2]
半导体器件的电容器及其制造方法 [P]. 
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李正贤 .
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[3]
制造半导体器件冠式电容器的方法 [P]. 
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孙容宣 .
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[4]
用于制造半导体器件的电容器的方法及电容器 [P]. 
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[5]
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[6]
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[7]
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[8]
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崔璟根 .
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[9]
制造用于半导体器件的电容器的方法 [P]. 
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[10]
制造半导体器件电容器的方法 [P]. 
崔璟根 .
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