制造半导体器件电容器的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN96107006.4
申请日
1996-06-26
公开(公告)号
CN1054702C
公开(公告)日
1997-02-19
发明(设计)人
崔璟根
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L27108
IPC分类号
H01L218242
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人
余朦
法律状态
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
制造半导体器件电容器的方法 [P]. 
崔璟根 .
中国专利 :CN1256511A ,2000-06-14
[2]
制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器 [P]. 
金京民 ;
金东俊 ;
李光云 .
中国专利 :CN1819155A ,2006-08-16
[3]
用于制造半导体器件的电容器的方法及电容器 [P]. 
崔璟根 .
中国专利 :CN1065658C ,1997-09-03
[4]
制造用于半导体器件的电容器的方法 [P]. 
韩昌勋 .
中国专利 :CN1897222B ,2007-01-17
[5]
制造半导体器件的电容器的方法 [P]. 
朴泳震 .
中国专利 :CN1148731A ,1997-04-30
[6]
半导体器件的电容器的制造方法 [P]. 
李起正 ;
朱光喆 .
中国专利 :CN1187810C ,2001-05-16
[7]
制造半导体器件的装置及制造半导体器件电容器的方法 [P]. 
林正根 ;
朴俊植 .
中国专利 :CN1227966A ,1999-09-08
[8]
半导体器件电容器的制造方法 [P]. 
梁泽承 .
中国专利 :CN101599426A ,2009-12-09
[9]
半导体器件的电容器制造方法 [P]. 
李起正 ;
梁洪善 .
中国专利 :CN1172362C ,2002-07-31
[10]
包括沟槽电容器的半导体器件及其制造方法 [P]. 
竹中圭一 ;
酒井伊都子 ;
成田雅贵 ;
大岩德久 ;
三田淳夫 ;
矢桥胜典 .
中国专利 :CN1518113A ,2004-08-04