制造半导体器件电容器的方法

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专利类型
发明
申请号
CN96107006.4
申请日
1996-06-26
公开(公告)号
CN1054702C
公开(公告)日
1997-02-19
发明(设计)人
崔璟根
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L27108
IPC分类号
H01L218242
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人
余朦
法律状态
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码
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共 50 条
[21]
半导体器件的电容器的制造方法 [P]. 
朴钟范 ;
吴勋静 ;
金京民 .
中国专利 :CN1329975C ,2004-01-14
[22]
电容器及制造电容器和半导体器件的方法 [P]. 
曹圭镐 ;
姜相列 ;
金洙焕 ;
文瑄敏 ;
朴瑛琳 ;
徐钟汎 ;
全柱炫 .
中国专利 :CN108807345B ,2018-11-13
[23]
电容器及制造电容器和半导体器件的方法 [P]. 
曹圭镐 ;
姜相列 ;
金洙焕 ;
文瑄敏 ;
朴瑛琳 ;
徐钟汎 ;
全柱炫 .
韩国专利 :CN113964269B ,2025-11-11
[24]
电容器及制造电容器和半导体器件的方法 [P]. 
曹圭镐 ;
姜相列 ;
金洙焕 ;
文瑄敏 ;
朴瑛琳 ;
徐钟汎 ;
全柱炫 .
中国专利 :CN113964269A ,2022-01-21
[25]
电容器及其制造方法、半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN111261774A ,2020-06-09
[26]
半导体器件电容器及其制造方法 [P]. 
宋泽根 .
中国专利 :CN1130802A ,1996-09-11
[27]
电容器、半导体器件及其制造方法 [P]. 
孔云龙 ;
王潇 .
中国专利 :CN109755386A ,2019-05-14
[28]
半导体器件中电容器的制造方法 [P]. 
崔亨福 .
中国专利 :CN100590845C ,2007-07-18
[29]
半导体器件的电容器及其制造方法 [P]. 
朴星昊 ;
李正贤 .
中国专利 :CN1630085A ,2005-06-22
[30]
制造半导体器件中电容器的方法 [P]. 
朴相洙 ;
郑中泽 .
中国专利 :CN101740519A ,2010-06-16