电容器及制造电容器和半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111189869.1

申请日：

2018-04-23

公开(公告)号：

CN113964269B

公开(公告)日：

2025-11-11

发明(设计)人：

曹圭镐姜相列金洙焕文瑄敏朴瑛琳徐钟汎全柱炫

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10D1/62

IPC分类号：

H10D1/00

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

倪斌

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-11	授权	授权

共 50 条

[1]

电容器及制造电容器和半导体器件的方法 [P].

曹圭镐 ;

姜相列 ;

金洙焕 ;

文瑄敏 ;

朴瑛琳 ;

徐钟汎 ;

全柱炫 .

中国专利 :CN113964269A ,2022-01-21

[2]

电容器及制造电容器和半导体器件的方法 [P].

曹圭镐 ;

姜相列 ;

金洙焕 ;

文瑄敏 ;

朴瑛琳 ;

徐钟汎 ;

全柱炫 .

中国专利 :CN108807345B ,2018-11-13

[3]

电容器和包括电容器的半导体器件 [P].

朴正敏 ;

金志星 ;

林汉镇 ;

丁炯硕 .

韩国专利 :CN118804678A ,2024-10-18

[4]

制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器 [P].

金京民 ;

金东俊 ;

李光云 .

中国专利 :CN1819155A ,2006-08-16

[5]

电容器和包括该电容器的半导体器件 [P].

罗炳勋 ;

李基荣 ;

李周浩 ;

郑明镐 .

中国专利 :CN114792758A ,2022-07-26

[6]

电容器及半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208738233U ,2019-04-12

[7]

电容器及半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208738247U ,2019-04-12

[8]

电容器结构、包括其的半导体器件和制造电容器结构的方法 [P].

赵天钦 ;

白东官 ;

蒋在完 ;

金铉彬 ;

李峻硕 .

韩国专利 :CN120343927A ,2025-07-18

[9]

用于制造半导体器件的电容器的方法及电容器 [P].

崔璟根 .

中国专利 :CN1065658C ,1997-09-03

[10]

半导体器件中电容器的制造方法 [P].

崔亨福 .

中国专利 :CN100590845C ,2007-07-18

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