半导体器件中电容器的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610154115.1

申请日：

2006-09-08

公开(公告)号：

CN100590845C

公开(公告)日：

2007-07-18

发明(设计)人：

崔亨福

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

H01L2182

IPC分类号：

H01L218242

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

杨生平;杨红梅

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-17	授权	授权
2007-07-18	公开	公开
2014-10-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101587903714 IPC(主分类):H01L 21/82 专利号:ZL2006101541151 申请日:20060908 授权公告日:20100217 终止日期:20130908
2007-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

电容器及制造电容器和半导体器件的方法 [P].

曹圭镐 ;

姜相列 ;

金洙焕 ;

文瑄敏 ;

朴瑛琳 ;

徐钟汎 ;

全柱炫 .

中国专利 :CN108807345B ,2018-11-13

[2]

电容器及制造电容器和半导体器件的方法 [P].

曹圭镐 ;

姜相列 ;

金洙焕 ;

文瑄敏 ;

朴瑛琳 ;

徐钟汎 ;

全柱炫 .

韩国专利 :CN113964269B ,2025-11-11

[3]

电容器及制造电容器和半导体器件的方法 [P].

曹圭镐 ;

姜相列 ;

金洙焕 ;

文瑄敏 ;

朴瑛琳 ;

徐钟汎 ;

全柱炫 .

中国专利 :CN113964269A ,2022-01-21

[4]

半导体器件中的电容器架构 [P].

S·纳斯卡尔 ;

M·昌德霍克 ;

A·A·夏尔马 ;

R·考迪罗 ;

S·B·克伦德宁 ;

林哲筠 .

中国专利 :CN113451509A ,2021-09-28

[5]

在半导体器件中制造电容器的方法 [P].

朴哲焕 ;

朴东洙 ;

李银儿 ;

徐惠真 .

中国专利 :CN100555565C ,2009-10-28

[6]

制造半导体器件中电容器的方法 [P].

朴相洙 ;

郑中泽 .

中国专利 :CN101740519A ,2010-06-16

[7]

半导体器件中电容器的制造方法 [P].

李起正 .

中国专利 :CN1976008A ,2007-06-06

[8]

制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器 [P].

金京民 ;

金东俊 ;

李光云 .

中国专利 :CN1819155A ,2006-08-16

[9]

制造用于半导体器件的电容器的方法 [P].

韩昌勋 .

中国专利 :CN1897222B ,2007-01-17

[10]

半导体器件的电容器的制造方法 [P].

李起正 ;

朱光喆 .

中国专利 :CN1187810C ,2001-05-16

← 1 2 3 4 5 →