制造半导体器件电容器的方法

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专利类型
发明
申请号
CN96107006.4
申请日
1996-06-26
公开(公告)号
CN1054702C
公开(公告)日
1997-02-19
发明(设计)人
崔璟根
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L27108
IPC分类号
H01L218242
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人
余朦
法律状态
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码
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共 50 条
[41]
有模拟电容器的半导体器件及其制造方法 [P]. 
朴相勋 ;
李基永 .
中国专利 :CN1297010C ,2003-11-05
[42]
形成有电容器的半导体器件及其制造方法 [P]. 
胡金节 .
中国专利 :CN111180394B ,2020-05-19
[43]
制造半导体器件中的电容器的方法 [P]. 
董且德 ;
韩一根 .
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[44]
具有电容器的半导体器件的制造方法 [P]. 
李相道 ;
罗善雄 ;
李东烈 ;
崔东求 .
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[45]
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廉胜振 ;
吉德信 ;
金珍赫 ;
朴基善 ;
宋翰相 ;
卢载盛 .
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[46]
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[47]
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尹孝根 ;
崔根敏 .
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[48]
形成半导体器件的电容器的方法 [P]. 
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[49]
形成半导体器件的电容器的方法 [P]. 
李起正 .
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[50]
制造半导体电容器的方法 [P]. 
王贤愈 ;
黄志坚 ;
吴坤霖 .
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