形成半导体器件的电容器的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510077893.0

申请日：

2005-06-13

公开(公告)号：

CN1722384A

公开(公告)日：

2006-01-18

发明(设计)人：

李起正

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21329

IPC分类号：

H01L2182 H01L218239 H01L218242

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒;魏晓刚

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101584295054 IPC(主分类):H01L 21/329 专利号:ZL2005100778930 申请日:20050613 授权公告日:20090114 终止日期:20130613
2006-01-18	公开	公开
2009-01-14	授权	授权
2006-03-08	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

形成半导体器件的电容器的方法 [P].

李起正 .

中国专利 :CN1716534A ,2006-01-04

[2]

制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器 [P].

金京民 ;

金东俊 ;

李光云 .

中国专利 :CN1819155A ,2006-08-16

[3]

形成电容器、半导体器件和精细图案的方法和半导体器件 [P].

崔允荣 ;

林晟洙 ;

姜秉茂 ;

具省模 ;

朴世真 ;

裵珍宇 .

中国专利 :CN111740012A ,2020-10-02

[4]

形成电容器、半导体器件和精细图案的方法和半导体器件 [P].

崔允荣 ;

林晟洙 ;

姜秉茂 ;

具省模 ;

朴世真 ;

裵珍宇 .

韩国专利 :CN111740012B ,2025-08-29

[5]

半导体器件的电容器制造方法 [P].

李起正 ;

梁洪善 .

中国专利 :CN1172362C ,2002-07-31

[6]

具有电容器的半导体器件 [P].

小杉武史 ;

大芦敏行 .

中国专利 :CN1466222A ,2004-01-07

[7]

半导体器件的电容器的制造方法 [P].

李起正 ;

朱光喆 .

中国专利 :CN1187810C ,2001-05-16

[8]

用于形成半导体器件电容器的方法 [P].

尹东洙 .

中国专利 :CN1427464A ,2003-07-02

[9]

制造用于半导体器件的电容器的方法 [P].

韩昌勋 .

中国专利 :CN1897222B ,2007-01-17

[10]

包括电容器的半导体器件 [P].

陈纮扬 ;

林天声 ;

邱奕正 ;

林宏洲 ;

陈益民 ;

吴国铭 ;

钟久华 .

中国专利 :CN110970405A ,2020-04-07

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