形成电容器、半导体器件和精细图案的方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010219974.4

申请日：

2020-03-25

公开(公告)号：

CN111740012A

公开(公告)日：

2020-10-02

发明(设计)人：

崔允荣林晟洙姜秉茂具省模朴世真裵珍宇

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L4902

IPC分类号：

H01L27108 H01L218242

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

弋桂芬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-02	公开	公开
2022-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 49/02 申请日:20200325

共 50 条

[1]

形成电容器、半导体器件和精细图案的方法和半导体器件 [P].

崔允荣 ;

林晟洙 ;

姜秉茂 ;

具省模 ;

朴世真 ;

裵珍宇 .

韩国专利 :CN111740012B ,2025-08-29

[2]

制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器 [P].

金京民 ;

金东俊 ;

李光云 .

中国专利 :CN1819155A ,2006-08-16

[3]

形成半导体器件的电容器的方法 [P].

李起正 .

中国专利 :CN1716534A ,2006-01-04

[4]

形成半导体器件的电容器的方法 [P].

李起正 .

中国专利 :CN1722384A ,2006-01-18

[5]

具有电容器的半导体器件 [P].

小杉武史 ;

大芦敏行 .

中国专利 :CN1466222A ,2004-01-07

[6]

半导体器件和MIM电容器 [P].

饭冈修 ;

福冈郁人 .

中国专利 :CN1835235A ,2006-09-20

[7]

半导体器件的电容器制造方法 [P].

李起正 ;

梁洪善 .

中国专利 :CN1172362C ,2002-07-31

[8]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨海宁 ;

杰克·A.·曼德尔曼 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101159256A ,2008-04-09

[9]

制造电容器和半导体器件的方法以及半导体器件和装置 [P].

崔允荣 ;

李炳铉 ;

具炳周 ;

金昇辰 ;

朴相在 ;

裵珍宇 ;

李翰杰 ;

崔辅友 ;

洪贤宝 .

中国专利 :CN112309985A ,2021-02-02

[10]

制造电容器和半导体器件的方法以及半导体器件和装置 [P].

崔允荣 ;

李炳铉 ;

具炳周 ;

金昇辰 ;

朴相在 ;

裵珍宇 ;

李翰杰 ;

崔辅友 ;

洪贤宝 .

韩国专利 :CN112309985B ,2025-12-16

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