有模拟电容器的半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03128594.5

申请日：

2003-03-21

公开(公告)号：

CN1297010C

公开(公告)日：

2003-11-05

发明(设计)人：

朴相勋李基永

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L21822 H01L218242

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒;魏晓刚

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-02-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-01-24	授权	授权
2003-11-05	公开	公开

共 50 条

[1]

制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器 [P].

金京民 ;

金东俊 ;

李光云 .

中国专利 :CN1819155A ,2006-08-16

[2]

形成有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

胡金节 .

中国专利 :CN111180394B ,2020-05-19

[3]

半导体器件、MIM电容器及其制造方法 [P].

周仲彦 ;

刘世昌 .

中国专利 :CN107204324A ,2017-09-26

[4]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

梶田明广 ;

山田雅基 .

中国专利 :CN1617340A ,2005-05-18

[5]

半导体器件中的电容器及其制造方法 [P].

奇安度 .

中国专利 :CN100474633C ,2007-06-27

[6]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

立花宏俊 .

中国专利 :CN101512755B ,2009-08-19

[7]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

立花宏俊 .

中国专利 :CN102176457A ,2011-09-07

[8]

电容器及其制造方法、半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111261774A ,2020-06-09

[9]

制造半导体器件的电容器的方法 [P].

朴泳震 .

中国专利 :CN1148731A ,1997-04-30

[10]

半导体器件的电容器的制造方法 [P].

李起正 ;

朱光喆 .

中国专利 :CN1187810C ,2001-05-16

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