形成有电容器的半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811343810.1

申请日：

2018-11-13

公开(公告)号：

CN111180394B

公开(公告)日：

2020-05-19

发明(设计)人：

胡金节

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

邓云鹏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-19	公开	公开
2020-06-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20181113
2022-09-09	授权	授权

共 50 条

[1]

电容器、半导体器件及其形成方法 [P].

陈轶群 ;

蒲贤勇 ;

陈宗高 ;

王刚宁 ;

王海强 .

中国专利 :CN104701136A ,2015-06-10

[2]

有模拟电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

朴相勋 ;

李基永 .

中国专利 :CN1297010C ,2003-11-05

[3]

制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器 [P].

金京民 ;

金东俊 ;

李光云 .

中国专利 :CN1819155A ,2006-08-16

[4]

半导体器件中的电容器及其制造方法 [P].

奇安度 .

中国专利 :CN100474633C ,2007-06-27

[5]

形成半导体器件的电容器的方法 [P].

金奎显 ;

尹孝根 ;

崔根敏 .

中国专利 :CN1667796A ,2005-09-14

[6]

形成半导体器件的电容器的方法 [P].

李起正 .

中国专利 :CN1716534A ,2006-01-04

[7]

形成半导体器件的电容器的方法 [P].

李起正 .

中国专利 :CN1722384A ,2006-01-18

[8]

半导体器件、MIM电容器及其制造方法 [P].

周仲彦 ;

刘世昌 .

中国专利 :CN107204324A ,2017-09-26

[9]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

梶田明广 ;

山田雅基 .

中国专利 :CN1617340A ,2005-05-18

[10]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

立花宏俊 .

中国专利 :CN101512755B ,2009-08-19

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