具有电容器的半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680055950.8

申请日：

2006-09-27

公开(公告)号：

CN101512755B

公开(公告)日：

2009-08-19

发明(设计)人：

立花宏俊

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县横浜市

IPC主分类号：

H01L218246

IPC分类号：

H01L21822 H01L2704 H01L2710 H01L27105

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

浦柏明;徐恕

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-10-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2020-08-18	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/8246 登记生效日:20200730 变更事项:专利权人变更前权利人:富士通半导体股份有限公司变更后权利人:富士通半导体存储方案股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川县横浜市变更后权利人:日本神奈川县
2009-08-19	公开	公开
2011-09-28	授权	授权

共 50 条

[1]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

立花宏俊 .

中国专利 :CN102176457A ,2011-09-07

[2]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

梶田明广 ;

山田雅基 .

中国专利 :CN1617340A ,2005-05-18

[3]

具有电容器的半导体器件 [P].

小杉武史 ;

大芦敏行 .

中国专利 :CN1466222A ,2004-01-07

[4]

半导体器件的电容器的制造方法 [P].

李起正 ;

朱光喆 .

中国专利 :CN1187810C ,2001-05-16

[5]

半导体器件的电容器制造方法 [P].

李起正 ;

梁洪善 .

中国专利 :CN1172362C ,2002-07-31

[6]

半导体存储器件的电容器及其制造方法 [P].

李起正 ;

韩一根 ;

梁洪善 .

中国专利 :CN1163965C ,2001-03-14

[7]

制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器 [P].

金京民 ;

金东俊 ;

李光云 .

中国专利 :CN1819155A ,2006-08-16

[8]

具有MIM电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

金珉爽 .

中国专利 :CN101383347A ,2009-03-11

[9]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

林孟汉 ;

邱德馨 ;

吴伟成 ;

陈德安 .

中国专利 :CN110649000A ,2020-01-03

[10]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

梶田明广 ;

山田雅基 .

中国专利 :CN1392613A ,2003-01-22

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