半导体存储器件的电容器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00126816.3

申请日：

2000-06-25

公开(公告)号：

CN1163965C

公开(公告)日：

2001-03-14

发明(设计)人：

李起正韩一根梁洪善

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2704

IPC分类号：

H01L2710 H01L2170

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-08-25	授权	授权
2001-03-14	公开	公开
2002-08-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-08-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101584483001 IPC(主分类):H01L 27/04 专利号:ZL001268163 申请日:20000625 授权公告日:20040825 终止日期:20130625

共 50 条

[1]

半导体存储元件的电容器及其制造方法 [P].

李起正 ;

李泰赫 .

中国专利 :CN1279513A ,2001-01-10

[2]

半导体存储元件的电容器及其制造方法 [P].

李起正 ;

金东俊 .

中国专利 :CN1168144C ,2001-01-17

[3]

电容器、半导体存储器件及制造电容器的方法 [P].

李正贤 ;

朴星昊 ;

徐范锡 .

中国专利 :CN1738062A ,2006-02-22

[4]

半导体器件的电容器制造方法 [P].

李起正 ;

梁洪善 .

中国专利 :CN1172362C ,2002-07-31

[5]

半导体存储器件及其电容器的形成方法 [P].

朴钟范 .

中国专利 :CN101587891A ,2009-11-25

[6]

半导体存储器元件的电容器的制造方法 [P].

李起正 ;

金东俊 .

中国专利 :CN1181550C ,2001-01-17

[7]

半导体存储元件的电容器及其制造方法 [P].

朱光喆 ;

李起正 ;

韩一根 .

中国专利 :CN1280392A ,2001-01-17

[8]

制造半导体存储器件的电容器的方法 [P].

金贤洙 .

中国专利 :CN1298025C ,1999-12-29

[9]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

立花宏俊 .

中国专利 :CN101512755B ,2009-08-19

[10]

具有电容器的半导体存储器件 [P].

赵芳庆 .

中国专利 :CN1180244A ,1998-04-29

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