共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
制造半导体存储器件的电容器的方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN99109088.8
申请日：
1999-06-18
公开(公告)号：
CN1298025C
公开(公告)日：
1999-12-29
发明(设计)人：
金贤洙
申请人：
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H01L2128
IPC分类号：
H01L21316
H01L21318
H01L2182
代理机构：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人：
谢丽娜;谷惠敏
法律状态：
专利权的终止
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2010-09-01 | 专利权的终止 | 未缴年费专利权终止 号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101005255345 IPC(主分类):H01L 21/28 专利号:ZL991090888 申请日:19990618 授权公告日:20070131 |
| 2007-01-31 | 授权 | 授权 |
| 1999-11-10 | 实质审查请求的生效 | 实质审查请求的生效 |
| 1999-12-29 | 公开 | 公开 |