半导体存储元件的电容器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00124028.5

申请日：

2000-07-02

公开(公告)号：

CN1280392A

公开(公告)日：

2001-01-17

发明(设计)人：

朱光喆李起正韩一根

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2710

IPC分类号：

H01L2704 H01L2170 H01L218239

代理机构：

柳沈知识产权律师事务所

代理人：

范明娥

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-01-17	公开	公开
2002-09-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2017-08-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101742896688 IPC(主分类):H01L 27/10 专利号:ZL001240285 申请日:20000702 授权公告日:20080423 终止日期:20160702
2008-04-23	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体存储元件的电容器及其制造方法 [P].

李起正 ;

李泰赫 .

中国专利 :CN1279513A ,2001-01-10

[2]

半导体存储元件的电容器及其制造方法 [P].

李起正 ;

金东俊 .

中国专利 :CN1168144C ,2001-01-17

[3]

半导体存储器件的电容器及其制造方法 [P].

李起正 ;

韩一根 ;

梁洪善 .

中国专利 :CN1163965C ,2001-03-14

[4]

半导体存储元件的电容器的形成方法 [P].

李起正 ;

朱光喆 .

中国专利 :CN1279510A ,2001-01-10

[5]

半导体存储器元件的电容器的制造方法 [P].

李起正 ;

金东俊 .

中国专利 :CN1181550C ,2001-01-17

[6]

半导体器件的电容器制造方法 [P].

李起正 ;

梁洪善 .

中国专利 :CN1172362C ,2002-07-31

[7]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

立花宏俊 .

中国专利 :CN101512755B ,2009-08-19

[8]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

立花宏俊 .

中国专利 :CN102176457A ,2011-09-07

[9]

半导体元件的电容器及其制造方法 [P].

李起正 ;

洪炳涉 .

中国专利 :CN1384539A ,2002-12-11

[10]

半导体装置的电容器的制造方法 [P].

李起正 ;

梁洪善 .

中国专利 :CN1307359A ,2001-08-08

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