具有MIM电容器的半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810147210.8

申请日：

2008-08-21

公开(公告)号：

CN101383347A

公开(公告)日：

2009-03-11

发明(设计)人：

金珉爽

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

H01L27108 H01L2706 H01L2708 H01L23522 H01L2992 H01L2182 H01L21768 H01L2102

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

李丙林;张英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

MIM电容器及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

胡友存 .

中国专利 :CN101364532A ,2009-02-11

[2]

半导体器件、MIM电容器及其制造方法 [P].

周仲彦 ;

刘世昌 .

中国专利 :CN107204324A ,2017-09-26

[3]

具有MIM电容器的半导体器件 [P].

山田文生 .

中国专利 :CN107799503A ,2018-03-13

[4]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

立花宏俊 .

中国专利 :CN101512755B ,2009-08-19

[5]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

立花宏俊 .

中国专利 :CN102176457A ,2011-09-07

[6]

具有MIM电容器的半导体器件及其制备方法 [P].

曹文康 .

中国专利 :CN114220917A ,2022-03-22

[7]

具有MIM电容器的半导体器件及其制备方法 [P].

曹文康 .

中国专利 :CN114220917B ,2025-08-26

[8]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

梶田明广 ;

山田雅基 .

中国专利 :CN1617340A ,2005-05-18

[9]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

梶田明广 ;

山田雅基 .

中国专利 :CN1392613A ,2003-01-22

[10]

半导体器件和MIM电容器 [P].

饭冈修 ;

福冈郁人 .

中国专利 :CN1835235A ,2006-09-20

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-05-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-03-11	公开	公开
2012-09-12	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101452945199 IPC(主分类):H01L 27/02 专利申请号:2008101472108 申请公布日:20090311