MIM电容器及其制造方法、半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710044814.5

申请日：

2007-08-09

公开(公告)号：

CN101364532A

公开(公告)日：

2009-02-11

发明(设计)人：

胡友存

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2128 H01L21822 H01L21768 H01L2992 H01L2704 H01L23522

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-17	授权	授权
2009-04-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2019-07-26	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20070809 授权公告日:20100217 终止日期:20180809
2009-02-11	公开	公开
2012-01-04	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101257112999 IPC(主分类):H01L 21/02 专利号:ZL2007100448145 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111123

共 50 条

[1]

半导体器件、MIM电容器及其制造方法 [P].

周仲彦 ;

刘世昌 .

中国专利 :CN107204324A ,2017-09-26

[2]

具有MIM电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

金珉爽 .

中国专利 :CN101383347A ,2009-03-11

[3]

MIM电容器器件及其制造方法 [P].

何忠祥 ;

道格拉斯·D·考尔堡 ;

埃比尼泽·E.·埃尚 ;

罗伯特·M.·拉塞尔 .

中国专利 :CN100546048C ,2007-12-26

[4]

电容器及其制造方法、半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111261774A ,2020-06-09

[5]

MIM电容器件及其制造方法 [P].

王新鹏 ;

范桂林 ;

蒋文丽 ;

崔强伟 ;

王亚飞 .

中国专利 :CN119069463A ,2024-12-03

[6]

半导体器件电容器及其制造方法 [P].

宋泽根 .

中国专利 :CN1130802A ,1996-09-11

[7]

电容器、半导体器件及其制造方法 [P].

孔云龙 ;

王潇 .

中国专利 :CN109755386A ,2019-05-14

[8]

MIM电容器及其制造方法 [P].

徐瑞璋 ;

薛广杰 ;

李乐 .

中国专利 :CN118510382A ,2024-08-16

[9]

MIM电容器及其制造方法 [P].

肖德元 ;

季明华 ;

吴汉明 .

中国专利 :CN101989621B ,2011-03-23

[10]

MIM电容器及其制造方法 [P].

叶菁 ;

王奇峰 .

中国专利 :CN101989620A ,2011-03-23

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