制造半导体器件的电容器的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN96104317.2

申请日：

1996-02-27

公开(公告)号：

CN1148731A

公开(公告)日：

1997-04-30

发明(设计)人：

朴泳震

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L218242

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所

代理人：

张政权

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2000-09-13	授权	授权
1997-04-30	公开	公开
2015-04-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101605904766 IPC(主分类):H01L 21/8242 专利号:ZL961043172 申请日:19960227 授权公告日:20000913 终止日期:20140227
1997-04-09	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器 [P].

金京民 ;

金东俊 ;

李光云 .

中国专利 :CN1819155A ,2006-08-16

[2]

半导体器件的电容器制造方法 [P].

李起正 ;

梁洪善 .

中国专利 :CN1172362C ,2002-07-31

[3]

半导体器件的电容器的制造方法 [P].

李起正 ;

朱光喆 .

中国专利 :CN1187810C ,2001-05-16

[4]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

梶田明广 ;

山田雅基 .

中国专利 :CN1617340A ,2005-05-18

[5]

制造半导体器件的装置及制造半导体器件电容器的方法 [P].

林正根 ;

朴俊植 .

中国专利 :CN1227966A ,1999-09-08

[6]

具有电容器的半导体器件 [P].

小杉武史 ;

大芦敏行 .

中国专利 :CN1466222A ,2004-01-07

[7]

制造半导体器件电容器的方法 [P].

崔璟根 .

中国专利 :CN1256511A ,2000-06-14

[8]

用于制造半导体器件的电容器的方法 [P].

崔亨福 ;

朴钟范 ;

李起正 ;

李钟旼 .

中国专利 :CN1790610A ,2006-06-21

[9]

制造半导体器件电容器的方法 [P].

崔璟根 .

中国专利 :CN1054702C ,1997-02-19

[10]

包括沟槽电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

竹中圭一 ;

酒井伊都子 ;

成田雅贵 ;

大岩德久 ;

三田淳夫 ;

矢桥胜典 .

中国专利 :CN1518113A ,2004-08-04

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