包括沟槽电容器的半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410000178.2

申请日：

2004-01-08

公开(公告)号：

CN1518113A

公开(公告)日：

2004-08-04

发明(设计)人：

竹中圭一酒井伊都子成田雅贵大岩德久三田淳夫矢桥胜典

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L2182 H01L218242

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静;李峥

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-08-04	公开	公开
2006-12-13	授权	授权
2015-03-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101600530276 IPC(主分类):H01L 27/108 专利号:ZL2004100001782 申请日:20040108 授权公告日:20061213 终止日期:20140108
2004-10-13	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器 [P].

金京民 ;

金东俊 ;

李光云 .

中国专利 :CN1819155A ,2006-08-16

[2]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

梶田明广 ;

山田雅基 .

中国专利 :CN1617340A ,2005-05-18

[3]

包括电容器的半导体器件 [P].

陈纮扬 ;

林天声 ;

邱奕正 ;

林宏洲 ;

陈益民 ;

吴国铭 ;

钟久华 .

中国专利 :CN110970405A ,2020-04-07

[4]

制造半导体器件的电容器的方法 [P].

朴泳震 .

中国专利 :CN1148731A ,1997-04-30

[5]

制造半导体器件电容器的方法 [P].

崔璟根 .

中国专利 :CN1256511A ,2000-06-14

[6]

制造半导体器件电容器的方法 [P].

崔璟根 .

中国专利 :CN1054702C ,1997-02-19

[7]

半导体器件的电容器制造方法 [P].

李起正 ;

梁洪善 .

中国专利 :CN1172362C ,2002-07-31

[8]

半导体器件、MIM电容器及其制造方法 [P].

周仲彦 ;

刘世昌 .

中国专利 :CN107204324A ,2017-09-26

[9]

半导体器件中的电容器及其制造方法 [P].

奇安度 .

中国专利 :CN100474633C ,2007-06-27

[10]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

立花宏俊 .

中国专利 :CN101512755B ,2009-08-19

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