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半导体器件的电容器及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN200410102185.3
申请日
:
2004-12-15
公开(公告)号
:
CN1630085A
公开(公告)日
:
2005-06-22
发明(设计)人
:
朴星昊
李正贤
申请人
:
申请人地址
:
韩国京畿道
IPC主分类号
:
H01L27108
IPC分类号
:
H01L2710
H01L2182
H01L218242
代理机构
:
北京市柳沈律师事务所
代理人
:
张平元;赵仁临
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2005-08-24
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-03-04
授权
授权
2005-06-22
公开
公开
共 50 条
[1]
制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器
[P].
金京民
论文数:
0
引用数:
0
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金京民
;
金东俊
论文数:
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金东俊
;
李光云
论文数:
0
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0
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李光云
.
中国专利
:CN1819155A
,2006-08-16
[2]
电容器及其制造方法、半导体器件
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
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0
不公告发明人
.
中国专利
:CN111261774A
,2020-06-09
[3]
电容器元件、半导体器件及其制造方法
[P].
南相釪
论文数:
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引用数:
0
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0
南相釪
.
中国专利
:CN1979850B
,2007-06-13
[4]
具有电容器的半导体器件及其制造方法
[P].
魏鸿基
论文数:
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魏鸿基
;
毕嘉慧
论文数:
0
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毕嘉慧
;
陈俊宏
论文数:
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陈俊宏
.
中国专利
:CN101174621B
,2008-05-07
[5]
制造半导体器件的电容器的方法
[P].
木城耕一
论文数:
0
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0
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0
木城耕一
.
中国专利
:CN1120524C
,1998-09-09
[6]
制造电容器和半导体器件的方法
[P].
沈愚锡
论文数:
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沈愚锡
;
林泳旭
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林泳旭
;
李重泫
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李重泫
;
尹广燮
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尹广燮
;
金喆浩
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金喆浩
;
朴兑津
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朴兑津
.
中国专利
:CN1801476A
,2006-07-12
[7]
半导体器件的电容器、存储器件及其制造方法
[P].
申尚旻
论文数:
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申尚旻
;
具俊谟
论文数:
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具俊谟
;
金锡必
论文数:
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金锡必
;
赵重来
论文数:
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赵重来
.
中国专利
:CN1652336A
,2005-08-10
[8]
半导体器件电容器的制造方法
[P].
梁泽承
论文数:
0
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梁泽承
.
中国专利
:CN101599426A
,2009-12-09
[9]
电容器、半导体存储器件及制造电容器的方法
[P].
李正贤
论文数:
0
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李正贤
;
朴星昊
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朴星昊
;
徐范锡
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徐范锡
.
中国专利
:CN1738062A
,2006-02-22
[10]
制造用于半导体器件的电容器的方法
[P].
韩昌勋
论文数:
0
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0
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韩昌勋
.
中国专利
:CN1897222B
,2007-01-17
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