具有电容器的半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610143265.2

申请日：

2006-11-01

公开(公告)号：

CN101174621B

公开(公告)日：

2008-05-07

发明(设计)人：

魏鸿基毕嘉慧陈俊宏

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

H01L2706 H01L27105 H01L27115 H01L2182 H01L21822 H01L218239 H01L218247

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陶凤波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-05-07	公开	公开
2010-07-21	授权	授权
2013-03-13	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101531200518 IPC(主分类):H01L 27/02 专利号:ZL2006101432652 变更事项:专利权人变更前:力晶半导体股份有限公司变更后:力晶科技股份有限公司变更事项:地址变更前:中国台湾新竹科学工业园区变更后:中国台湾新竹科学工业园区

共 50 条

[1]

制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器 [P].

金京民 ;

金东俊 ;

李光云 .

中国专利 :CN1819155A ,2006-08-16

[2]

电容器及其制造方法、半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111261774A ,2020-06-09

[3]

半导体器件的电容器及其制造方法 [P].

朴星昊 ;

李正贤 .

中国专利 :CN1630085A ,2005-06-22

[4]

半导体器件的电容器、存储器件及其制造方法 [P].

申尚旻 ;

具俊谟 ;

金锡必 ;

赵重来 .

中国专利 :CN1652336A ,2005-08-10

[5]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

梁飞龙 ;

洪锡敬 ;

李承锡 ;

姜南守 .

中国专利 :CN1173407C ,2001-07-04

[6]

电容器元件、半导体器件及其制造方法 [P].

南相釪 .

中国专利 :CN1979850B ,2007-06-13

[7]

具有铁电电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

彦坂幸信 ;

藤木充司 ;

和泉宇俊 ;

佐次田直也 ;

土手晓 .

中国专利 :CN1808717A ,2006-07-26

[8]

制造电容器和半导体器件的方法 [P].

沈愚锡 ;

林泳旭 ;

李重泫 ;

尹广燮 ;

金喆浩 ;

朴兑津 .

中国专利 :CN1801476A ,2006-07-12

[9]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

林孟汉 ;

邱德馨 ;

吴伟成 ;

陈德安 .

中国专利 :CN110649000A ,2020-01-03

[10]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

梶田明广 ;

山田雅基 .

中国专利 :CN1617340A ,2005-05-18

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