电容器元件、半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610164025.0

申请日：

2006-12-05

公开(公告)号：

CN1979850B

公开(公告)日：

2007-06-13

发明(设计)人：

南相釪

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L2700

IPC分类号：

H01L27108 H01L2182 H01L218242

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

郑小军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-06-13	公开	公开
2010-12-15	授权	授权
2015-01-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101596338008 IPC(主分类):H01L 27/00 专利号:ZL2006101640250 申请日:20061205 授权公告日:20101215 终止日期:20131205
2007-08-08	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

电容器及其制造方法、半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111261774A ,2020-06-09

[2]

制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器 [P].

金京民 ;

金东俊 ;

李光云 .

中国专利 :CN1819155A ,2006-08-16

[3]

半导体器件的电容器及其制造方法 [P].

朴星昊 ;

李正贤 .

中国专利 :CN1630085A ,2005-06-22

[4]

包括电容器元件的半导体器件及其制造方法 [P].

井上显 .

中国专利 :CN101546772B ,2009-09-30

[5]

电容器及半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN207149556U ,2018-03-27

[6]

具有电容器的半导体器件及其制造方法 [P].

魏鸿基 ;

毕嘉慧 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN101174621B ,2008-05-07

[7]

具有电容器元件的半导体器件 [P].

井上显 ;

井上智子 .

中国专利 :CN101447503B ,2009-06-03

[8]

电容器及其形成方法、半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN107564892A ,2018-01-09

[9]

半导体器件的电容器、存储器件及其制造方法 [P].

申尚旻 ;

具俊谟 ;

金锡必 ;

赵重来 .

中国专利 :CN1652336A ,2005-08-10

[10]

制造电容器和半导体器件的方法 [P].

沈愚锡 ;

林泳旭 ;

李重泫 ;

尹广燮 ;

金喆浩 ;

朴兑津 .

中国专利 :CN1801476A ,2006-07-12

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